SK hynix continúa ampliando su catálogo de memoria DDR5 con nuevos chips que alcanzan una velocidad nativa de 7200 MT/s, superando así el límite del estándar JEDEC de 6400 MT/s.
Las referencias fueron detectadas por @unikoshardware en el portal chino JD.com, donde aparecen listadas varias memorias DDR5 con números de parte inéditos en el mercado, lo que sugiere que el fabricante surcoreano ya está probando la nueva generación de módulos de alto rendimiento.
Cuatro nuevos chips con arquitectura mejorada
Según las filtraciones, SK hynix ha preparado cuatro nuevos dies, todos con soporte para 7200 MT/s (identificados por el sufijo “KB”), y con capacidades que van desde 2 GB hasta 4 GB por chip.
Entre las novedades destaca la primera B-die de 2 GB y una M-die de 4 GB, la primera vez que este nodo de proceso se ofrece en esa densidad.
La tabla filtrada detalla las especificaciones preliminares:
| Número de parte | Die | Velocidad | Densidad |
|---|---|---|---|
| H5CGD8AKBD-X021 | A-die | 7200 MT/s | 3 Gb |
| H5CC48BKBD-X030 | B-die | 7200 MT/s | 2 Gb |
| H5CG48CKBD-X030 | C-die | 7200 MT/s | 2 Gb |
| H5CG58MKBD-X051 | M-die | 7200 MT/s | 4 Gb |
Más allá del estándar JEDEC
El aumento de frecuencia supone un salto importante respecto al límite de 6400 MT/s establecido por JEDEC, posicionando a SK hynix como uno de los primeros fabricantes en preparar chips DDR5 más allá de las especificaciones oficiales.
La compañía ya había mostrado avances la semana pasada con su segunda generación de memorias DDR5 A-die de 3 GB, fabricadas sobre PCB de ocho capas, aunque los fabricantes de módulos apuntan que para aprovechar todo el potencial de los nuevos chips se requerirán placas de 10 o 12 capas, especialmente en configuraciones overclockeadas donde la integridad de señal es crítica.
Desarrollo en curso
Aunque SK hynix no ha realizado un anuncio oficial, las apariciones en tiendas online apuntan a que el desarrollo de las nuevas DDR5 7200 MT/s está en una fase avanzada. Estos módulos podrían ser una base clave para futuras memorias de gama alta destinadas a plataformas Ryzen AI 300, Intel Arrow Lake o estaciones de trabajo profesionales que requieran alta frecuencia con baja latencia.
Todo indica que la compañía seguirá expandiendo su liderazgo en el sector DRAM, reforzando su posición frente a Samsung y Micron en la carrera por las memorias DDR5 más rápidas y eficientes.
Vía: TechPowerUp
