SK hynix podría retrasar hasta 2027 la recepción de parte de los equipos destinados a ampliar la producción de memoria HBM4, según informaciones procedentes de la industria surcoreana. Algunos proveedores aseguran que los pedidos previstos para la segunda mitad de 2026 se están aplazando, una situación que ha despertado dudas sobre el ritmo de expansión de la capacidad de fabricación y posibles dificultades en los procesos de encapsulado.
La información, publicada originalmente por DealSite, llega después de que SK hynix completara el desarrollo de HBM4 en 2025 y comenzara su suministro comercial durante 2026. Sin embargo, todavía no existe una relación confirmada entre el aplazamiento de los equipos y posibles defectos de fabricación. El encarecimiento de la memoria DRAM convencional también podría explicar un cambio en las prioridades de inversión.
Parte de los equipos para HBM4 podría retrasarse hasta 2027
Según las fuentes consultadas por DealSite, determinados equipos de fabricación correspondientes a las últimas etapas del proceso HBM4, cuya entrega estaba prevista para 2026, podrían recibirse finalmente en 2027. Los proveedores también indican que todavía no disponen de información suficientemente concreta sobre las próximas inversiones que SK hynix realizará durante el siguiente ejercicio.
Los pedidos principales correspondientes a este año estarían prácticamente completados, pero no se observan señales claras de una aceleración de las compras de maquinaria. Tampoco se ha confirmado si los equipos ya instalados están funcionando a plena capacidad, lo que impide determinar hasta qué punto el calendario está afectando a los volúmenes reales de producción.
Estas circunstancias han alimentado las especulaciones sobre posibles dificultades en la fabricación de HBM4. No obstante, retrasar la adquisición de maquinaria adicional no equivale necesariamente a paralizar la producción existente. El impacto dependerá de los equipos afectados, de la capacidad instalada y de las necesidades de suministro acordadas con los clientes.
De hecho, SK hynix ya comenzó a suministrar HBM4 durante el segundo trimestre de 2026 y aseguró posteriormente que sus niveles de calidad y rendimiento de fabricación se estaban aproximando a los alcanzados con HBM3E. Por tanto, la información actual apunta principalmente a dudas sobre la velocidad de expansión, no a una interrupción confirmada de las entregas.
El encapsulado MR-MUF vuelve a generar dudas por la menor separación entre chips
Una de las posibles explicaciones técnicas está relacionada con Advanced MR-MUF, el proceso de encapsulado que SK hynix utiliza para fabricar sus memorias HBM apiladas. Esta tecnología combina la unión de los chips mediante calor con la aplicación de un material protector que rellena los espacios entre las distintas capas de memoria.
El procedimiento ha sido una de las ventajas competitivas de SK hynix frente a Samsung y Micron, especialmente por su eficiencia de fabricación y sus propiedades de disipación térmica. Sin embargo, la evolución hacia HBM4 introduce nuevas dificultades debido al aumento de las conexiones eléctricas y a las restricciones de altura de los módulos.
En marzo de 2026, ZDNet Korea informó de que SK hynix estaba desarrollando modificaciones en su tecnología de encapsulado para reducir la distancia entre los chips DRAM. Esta estrategia permitiría mejorar determinadas características eléctricas y utilizar capas de silicio de mayor grosor sin superar las dimensiones establecidas para el conjunto.
El principal inconveniente es que inyectar uniformemente el material MUF resulta más complicado cuando disminuye el espacio entre las capas. Si aparecen pequeñas cavidades sin rellenar, conocidas como voids, pueden producirse defectos que afecten a la fiabilidad y al porcentaje de chips funcionales obtenidos durante la fabricación.
El fabricante habría desarrollado una solución para afrontar este problema y las pruebas internas conocidas en marzo ofrecían resultados positivos. Aun así, no se ha demostrado que las dificultades descritas entonces sean la causa de los posibles aplazamientos comunicados ahora por los proveedores. Relacionar ambos acontecimientos de forma directa sería prematuro.
La subida de precios de la DRAM podría modificar las prioridades de inversión
Existe otra explicación que no depende de problemas tecnológicos. El fuerte encarecimiento de la memoria DRAM convencional está mejorando su rentabilidad, lo que podría llevar a SK hynix a destinar una mayor proporción de sus inversiones a este segmento durante los próximos meses.
Según las informaciones procedentes de Corea del Sur, la primera sala blanca de la futura fábrica Y1, situada en el complejo industrial de Yongin, recibiría inicialmente equipos destinados a memoria DRAM. Las primeras líneas utilizarían previsiblemente el proceso 1c, perteneciente a la sexta generación de tecnologías de fabricación de la categoría de 10 nm.
Esta decisión permitiría incrementar la producción de memoria convencional en un mercado donde los precios se mantienen elevados. Sin embargo, no significa necesariamente que SK hynix esté abandonando sus planes de expansión para HBM4, ya que ambas familias de productos presentan necesidades de fabricación y encapsulado diferentes.
El analista Ryu Hyung-geun, de Daishin Securities, considera exageradas las preocupaciones sobre posibles problemas de calidad de HBM4 en los principales clientes. Aunque reconoce que podrían haberse producido dificultades en las últimas etapas de fabricación, sostiene que no parecen representar obstáculos imposibles de solucionar.
Su valoración también pone en perspectiva las informaciones sobre posibles defectos. Por ahora, no existen datos públicos que permitan determinar si los clientes han rechazado cantidades significativas de memoria HBM4 o si las dificultades están afectando materialmente a los ingresos de SK hynix.
Hynix still hasn’t been able to solve the back-end issues with its HBM4 for over a year
MR-MUF enabled Hynix to take the lead over Samsung and Micron in HBM2E/3/3E now it’s the source of their problems in HBM4
Samsung will have the highest HBM market share next year
ZDNet back in March reported that Hynix was having difficulty injecting the underfill between the DRAM dies of the HBM stack, as they reduced the distance between the stacked DRAM dies to meet JEDEC standards, and the underfill is quite viscous— Zephyr (@zephyr_z9) October 14, 2026
SK hynix ya ha entregado muestras de HBM4 de 16 capas a sus clientes
Pese a las incertidumbres, SK hynix mantiene una posición destacada en el desarrollo de memorias HBM de alta capacidad. Fuentes de la industria indican que la compañía ya ha suministrado muestras de HBM4 con 16 capas de memoria DRAM a clientes importantes, lo que demuestra que dispone de tecnología funcional para configuraciones de elevada complejidad.
La diferencia entre fabricar muestras y alcanzar grandes volúmenes de producción sigue siendo fundamental. Una memoria apilada de 16 capas exige controlar la alineación, las conexiones eléctricas, la temperatura y la integridad de todos los chips, de modo que pequeñas variaciones pueden afectar a la rentabilidad del proceso industrial.
Además, SK hynix continúa trabajando en generaciones posteriores. En junio anunció el envío de muestras de HBM4E de 12 capas capaces de alcanzar 16 Gbps por conexión, utilizando una evolución de Advanced MR-MUF para mejorar la estabilidad térmica y la eficiencia energética.
La competencia también aumenta. Samsung y Micron buscan ampliar su participación en el suministro de memoria HBM4, especialmente para aceleradores de inteligencia artificial, donde la capacidad de fabricación, el rendimiento energético y el cumplimiento de los requisitos de los clientes resultan determinantes.
Por ahora, el posible traslado de algunos pedidos de maquinaria a 2027 constituye una señal de incertidumbre sobre las inversiones de SK hynix, pero no una prueba de que su producción HBM4 esté fallando. Será necesario conocer las próximas decisiones de compra de equipos, la evolución de los volúmenes suministrados y los resultados financieros del fabricante para determinar si se trata de un ajuste estratégico o de dificultades técnicas más importantes.
Vía: Wccftech
