Según el medio coreano ChosunBiz, tanto Samsung como TSMC tienen problemas con el rendimiento de sus nodos de 3 nm. Samsung utiliza la tecnología GAA FET (Gate All Around), mientras que TSMC sigue con su tecnología FinFET.
Dicho esto, TSMC dispone de al menos cinco nodos de 3 nm conocidos, de los cuales dos deberían estar ya en producción, suponiendo que N3E haya demostrado ser lo bastante fiable como para arrancar. Samsung, por su parte, cuenta con tres nodos de 3 nm conocidos, de los que solo uno, denominado 3GAE, está en producción.
Según ChosunBiz, ninguna de las dos compañías está obteniendo el rendimiento que cabría esperar de un nodo que ya debería llevar un año produciendo en serie, aunque Samsung parece estar algo mejor que TSMC. Con un 60 y un 50% respectivamente, ni Samsung ni TSMC se acercan a rendimientos decentes.
Todo lo que esté por debajo del 70% se considera muy pobre, e incluso la afirmación del 60% en el caso de Samsung se limita aparentemente a algún tipo de ASIC de minería chino y no incluye la SRAM que se encuentra en la mayoría de los procesadores modernos.
ChosunBiz también menciona una fuente familiarizada con el negocio de fundición de Samsung que habla de un rendimiento cercano al 50% para la compañía. La misma fuente señala también que Samsung necesita alcanzar al menos un 70% de rendimiento para atraer a grandes clientes a su nodo de 3 nm.
Vía: TechPowerUp
