Samsung tiene previsto introducir V-NAND de 400 capas en 2026 y avances tecnológicos en DRAM en 2027

Samsung tiene previsto introducir V-NAND de 400 capas en 2026 y avances tecnológicos en DRAM en 2027

El pasado mes de abril, Samsung presentó su novena generación de chips de memoria flash V-NAND de 286 capas, que ya está produciendo en masa. El objetivo de la compañía, según el Korean Economic Daily, es fabricar chips de memoria V-NAND con al menos 400 capas apiladas para 2026.

Samsung fue la primera empresa en introducir en 2013 chips V-NAND con celdas de memoria apiladas verticalmente para maximizar la capacidad. El apilamiento, sin embargo, más allá de 300 niveles resultó ser un verdadero reto, ya que los chips de memoria se dañaban con frecuencia.

Samsung, para solucionar dicho problema, está desarrollando una V-NAND de 10ª generación mejorada que utilizará la tecnología BV (Bonding Vertical) NAND. El objetivo: fabricar los circuitos de almacenamiento y periféricos en capas separadas antes de unirlas verticalmente.

Se trata de un cambio importante respecto a la actual tecnología CoP (Co-Packaged). Según Samsung, el nuevo método multiplicará por 1,6 (60%) la densidad de bits por unidad de superficie, lo que permitirá incrementar la velocidad de transmisión de datos.

La hoja de ruta de Samsung resulta realmente ambiciosa, con planes para lanzar la 11ª generación de NAND en 2027, con una mejora estimada del 50% en las tasas de E/S, seguida de chips NAND de 1.000 capas para 2030. SK hynix, su principal rival, también está trabajando en una NAND de 400 capas con el objetivo de que la tecnología esté lista para la producción en masa a finales de 2025.

Asimismo, Samsung, actual líder del mercado de HBM con una cuota de mercado del 36,9%, tiene planes para su sector de DRAM, con la intención de introducir en el primer semestre de 2025 la DRAM de 10 nm de sexta generación, o DRAM 1c.

Posteriormente, se espera la llegada de la séptima generación de 1d nm de Samsung (todavía en 10 nm) en 2026, y para 2027 la multinacional espera lanzar su primera generación de DRAM de menos de 10 nm, o memoria DRAM 0a, que utilizará una estructura 3D de VCT (Vertical Channel Transistor) similar a la que utiliza la memoria flash NAND.

Vía: TechPowerUp

Sobre el autor