Está previsto que Samsung Electronics se lance a la producción en masa de módulos de memoria CXL 2.0 de 256 GB que utilicen DRAM de 1y nm para finales del presente año. Según el medio coreano ZDNet Korea, Choi Jang Seok, jefe del equipo de planificación de nuevos negocios del departamento de memoria de Samsung, ha sido el encargado de realizar este comunicado.
Los futuros módulos de memoria, denominados CMM-D 2.0, se ajustarán al protocolo CXL 2.0. Dichos módulos sacarán partido de las partículas de memoria DRAM fabricadas con la tecnología de proceso de 20-10 nm de segunda generación. Gracias a su diseño, los módulos de memoria CXL pueden funcionar eficazmente con menores requisitos de rendimiento para las partículas de DRAM. Además, Samsung tiene previsto introducir en el futuro versiones con partículas de memoria más avanzadas.
Samsung está desarrollando, además de los módulos CMM-D, una gama de productos de almacenamiento CXL. Entre ellos destacan el módulo de caja de memoria CMM-B, que integra múltiples módulos CMM-D, y el módulo de almacenamiento híbrido CMM-H, que combina memoria DRAM con partículas de memoria flash NAND. Por otra parte, Choi Jang Seok reveló que Samsung está investigando internamente un nuevo producto denominado CMM-DC. Dicho producto dispondrá de capacidades computacionales basadas en el módulo CMM-D.
Choi Jang Seok destacó que, de cara al futuro, con la adopción de CXL 3.1 y la tecnología pooling, que permite compartir los recursos de memoria CXL entre varios hosts, se prevé que en torno a 2028 el mercado de CXL experimente un crecimiento significativo.
La estrategia de utilizar DRAM basada en el proceso de 1y nm pone de manifiesto el firme convencimiento de Samsung de que la tecnología de memoria debe seguir avanzando. Gracias a este avanzado proceso, Samsung está en condiciones de producir módulos de memoria fiables y rentables que satisfagan las exigencias de los actuales centros de datos. Además, el propio protocolo CXL 2.0 está diseñado para optimizar los recursos de memoria y almacenamiento, reduciendo la latencia y mejorando el rendimiento general del sistema.
Asimismo, la línea de desarrollo de Samsung incluye múltiples soluciones de almacenamiento CXL más allá de los módulos CMM-D 2.0. En este sentido, el módulo de caja de memoria CMM-B representa una solución innovadora que integra múltiples módulos CMM-D, incrementando notablemente la capacidad total de memoria disponible para los centros de datos.
El módulo de almacenamiento híbrido CMM-H amplía la gama de productos CXL de Samsung al combinar DRAM con memoria flash NAND, proporcionando una solución de almacenamiento versátil que equilibra tanto velocidad como capacidad.
A partir de los estudios internos sobre el producto CMM-DC se vislumbra un futuro en el que Samsung aspira a integrar las funciones de cómputo con los módulos de memoria CXL. Dicha convergencia de funciones de memoria y computación podría allanar el camino hacia arquitecturas de procesamiento de datos más eficientes como potentes.
Vía: Guru3D
