La firma Samsung atraviesa un momento claramente más sólido en su negocio de memoria HBM que hace apenas unos trimestres. Tras un periodo de dudas ligado a la transición hacia HBM3, el grupo surcoreano vuelve a ganar tracción con HBM4, una generación que se perfila como la solución más potente disponible y que podría devolverle el liderazgo del segmento a partir de 2027.
Aunque Samsung ha sido durante décadas el mayor proveedor mundial de DRAM, el auge de la HBM supuso un punto de inflexión. La demanda procedente del sector de IA creció con rapidez y la compañía perdió ritmo frente a rivales que supieron posicionarse antes en este nicho de alto valor.
Los problemas iniciales con HBM3 y el punto de inflexión
Con HBM3, Samsung tuvo dificultades para lograr la certificación de clientes clave como AMD y NVIDIA. Los principales escollos estuvieron relacionados con rendimientos de fabricación por debajo de lo esperado y cuestiones térmicas, factores críticos en memorias destinadas a aceleradores de IA y GPU de alto consumo.
Esta situación permitió a SK hynix tomar ventaja en HBM3 y consolidar su posición durante varios trimestres. Sin embargo, Samsung respondió con un cambio interno profundo de estrategia, revisando procesos de DRAM, encapsulado y cooperación temprana con clientes estratégicos.
HBM4, la apuesta clave para recuperar liderazgo
El giro comienza a notarse con HBM4. En su mensaje de Año Nuevo, el codirector ejecutivo y responsable del negocio de chips de Samsung, Jun Young-hyun, señaló un cambio claro en la percepción del mercado hacia la nueva generación de memoria.
“En HBM4 en particular, los clientes incluso han llegado a decir que ‘Samsung ha vuelto’”, afirmó Jun, en declaraciones revisadas por Reuters, matizando que la compañía todavía tiene margen para mejorar su competitividad.
Uno de los factores diferenciales es que Samsung inició el desarrollo de DRAM 1c antes que sus competidores, lo que le ha permitido avanzar con mayor rapidez en HBM4. A esto se suma un trabajo conjunto con socios clave, entre ellos NVIDIA, para asegurar su posición en la cadena de suministro desde fases tempranas.
Ventaja técnica y estrategia de precios
Samsung ya dispone de módulos HBM4 con velocidades de pin de hasta 11 Gbps, las más altas del sector hasta la fecha. Este dato es especialmente relevante para clientes centrados en aceleradores de IA, donde el ancho de banda de memoria es un factor decisivo para el rendimiento global.
Además, la compañía cuenta con una de las redes de suministro de DRAM más amplias del mundo y una estrategia interna orientada a mantener precios competitivos en HBM4, algo clave en un mercado donde los costes se están disparando por la fuerte demanda y la complejidad de fabricación.
Previsiones: Samsung superaría a SK hynix en 2027
Según modelos de mercado de Bernstein, compartidos por analistas del sector, la cuota de mercado HBM de Samsung podría superar a la de SK hynix en 2027, después de haber perdido el liderazgo en el último trimestre. Este cambio reflejaría tanto el impacto de HBM4 como la recuperación de la confianza de grandes clientes del ámbito de la IA.
Conviene matizar que la demanda de DRAM es tan elevada que todos los grandes fabricantes están bien posicionados para beneficiarse del ciclo actual. Empresas como Micron, SK hynix y la propia Samsung mantienen una visión optimista sobre sus ingresos futuros, impulsados por pedidos procedentes de clientes de IA y centros de datos.
Un mercado HBM cada vez más estratégico
La evolución de Samsung en HBM ilustra cómo este tipo de memoria se ha convertido en un pilar estratégico para el negocio de semiconductores. Más allá del volumen, HBM ofrece márgenes superiores y una relación directa con los proyectos más avanzados del sector de IA.
Si Samsung logra ejecutar su hoja de ruta sin repetir los problemas del pasado, HBM4 podría marcar su regreso definitivo al liderazgo de la memoria de alto ancho de banda, redefiniendo el equilibrio del mercado a partir de 2027.
Vía: Wccftech
