Samsung estaría preparando un nuevo salto tecnológico en el sector de memoria HBM, ya que diversos informes apuntan a que la compañía planea emplear un proceso de 2 nm para el base die de HBM4E, la próxima generación de memoria de alto ancho de banda. Esta decisión llega apenas un mes después de que el fabricante iniciara los envíos comerciales de HBM4, reforzando su estrategia para mantener ventaja frente a SK hynix y TSMC en el segmento de memoria para IA y centros de datos.
La adopción de un nodo más avanzado permitiría mejorar eficiencia energética, gestión térmica y aprovechamiento del área del silicio, tres factores clave en un momento en el que los aceleradores de IA demandan cada vez más ancho de banda de memoria.
El base die de HBM evoluciona hacia un papel más activo
Hasta la generación HBM3, el base die desempeñaba un papel relativamente pasivo dentro del stack de memoria, ya que se encargaba principalmente de la distribución de energía y el control de señales en la base del conjunto de chips DRAM.
Sin embargo, con la llegada de HBM4, este componente ha comenzado a asumir tareas más activas, incluyendo funciones de control más complejas e incluso ciertas operaciones de cómputo. Este cambio hace que el proceso de fabricación del base die sea cada vez más relevante para el rendimiento global del sistema.
En el caso de HBM4, Samsung ya partía con ventaja al utilizar base dies de lógica fabricados en 4 nm dentro de su propia fundición, combinados con DRAM 1c de última generación. En contraste, SK hynix recurre al nodo N12 de 12 nm de TSMC para producir sus base dies, lo que sitúa a Samsung en una posición favorable en términos de eficiencia y densidad.
HBM4E será el próximo campo de batalla del sector de memoria
El desarrollo de HBM4E se perfila ahora como el siguiente gran punto de competencia dentro del sector de semiconductores para IA. Diversos fabricantes ya trabajan en versiones personalizadas de esta memoria de alto rendimiento destinadas a aceleradores de inteligencia artificial y centros de datos de gran escala.
Por su parte, TSMC ha indicado que planea utilizar su proceso de 3 nm para algunas variantes personalizadas de HBM4E, mientras que SK hynix también estaría preparando su propia implementación de esta tecnología.
Si Samsung finalmente adopta 2 nm en el base die, la compañía podría reforzar su liderazgo en términos de eficiencia energética, densidad de integración y rendimiento térmico dentro de las pilas HBM.
El nodo de 2 nm también impulsa la estrategia de Samsung Foundry
Más allá de la memoria en sí, esta decisión también tendría implicaciones directas para Samsung Foundry. Fabricar internamente los base dies de HBM permite a la compañía mantener una alta utilización de sus fábricas, algo especialmente importante en el contexto actual del mercado.
El nodo 2 nm también desempeñará un papel relevante en la puesta en marcha de la nueva fábrica de Taylor (Texas). Según los informes, la instalación del equipamiento ya está en marcha y el primer tape-in de obleas se espera antes de finales de año.
En paralelo, se prevé que las primeras soluciones HBM4E estándar lleguen a mediados de año, mientras que las versiones personalizadas destinadas a clientes específicos podrían comenzar su fase de tape-in durante la segunda mitad del año.
Vía: TechPowerUp
