El regreso de Samsung al primer plano del mercado HBM empieza a materializarse. La compañía ha confirmado que su HBM4 ya se encuentra en despliegue comercial, apoyada en un proceso DRAM 1c de sexta generación y un chip lógico fabricado en 4 nm, ambos desarrollados internamente. Este paso sitúa a Samsung entre los primeros proveedores con HBM4 lista para integrarse en plataformas reales de computación avanzada.
El movimiento llega en un momento clave, con el mercado de memorias de alto ancho de banda cada vez más disputado entre Samsung, SK hynix y Micron, y con la HBM4 convertida en el nuevo campo de batalla tecnológico.
Velocidades líderes y margen para escalar
Uno de los puntos fuertes de la HBM4 de Samsung está en las velocidades por pin, que alcanzan 11,7 Gbps de forma nominal, lo que supone un 46% más frente a los 8 Gbps habituales de generaciones anteriores. La compañía también ha confirmado que su solución es capaz de escalar hasta 13 Gbps, un dato especialmente relevante porque cumple con requisitos clave de validación exigidos por los grandes diseñadores de aceleradores.
Este margen adicional refuerza la posición de Samsung en términos de ancho de banda sostenido, uno de los factores críticos en arquitecturas de IA y computación acelerada, donde la memoria se ha convertido en un cuello de botella tan importante como el propio silicio.
De 12 capas hoy a 16 capas en el futuro
Las primeras soluciones comerciales de HBM4 se basan en un diseño de 12 capas, con capacidades que se alinean con las necesidades actuales de los aceleradores de centros de datos. Samsung ha confirmado, además, que ya trabaja en HBM4 de 16 capas, una evolución que permitirá alcanzar hasta 48 GB por pila, elevando de forma notable la densidad de memoria disponible por acelerador.
Este aumento de capacidad será clave para modelos de IA cada vez más grandes, donde reducir el número de pilas necesarias simplifica el diseño del sistema y mejora la eficiencia energética global.
Pensada para Vera Rubin y la próxima generación de IA
Aunque Samsung no ha confirmado oficialmente el nombre de su primer cliente, el contexto apunta claramente a NVIDIA como el principal integrador de esta tecnología. En la actualidad, Vera Rubin es la única arquitectura de IA conocida que encaja con las características anunciadas de HBM4, especialmente por su enfoque en baja latencia, alto ancho de banda y respuesta optimizada.
En esta nueva generación, la memoria juega un papel aún más central, y Samsung considera que su HBM4 permite a NVIDIA elevar el listón tanto en capacidad como en rendimiento, aspectos decisivos para diferenciar las plataformas de próxima hornada.
Hoja de ruta y presión competitiva
Samsung también ha adelantado que espera que sus ingresos por HBM se multipliquen por tres este año frente a 2025, una previsión ambiciosa que refleja la apuesta interna por esta línea de negocio. Además, la compañía planea introducir HBM4E a partir de la segunda mitad de 2026, consolidando una hoja de ruta continua en memoria de alto ancho de banda.
Pese a ello, Samsung todavía tiene camino por recorrer para alcanzar niveles de adopción similares a los de SK hynix, actual líder del mercado. Aun así, el inicio del despliegue comercial de HBM4 indica que el fabricante coreano vuelve a competir de tú a tú, y que esta generación podría resultar decisiva para recuperar cuota en el segmento más estratégico de la memoria para IA.
Vía: Wccftech
