Hemos recibido una nota de prensa por parte de Samsung, os la dejamos a continuación:
Samsung Electronics lleva las SSDs a un nuevo nivel con la sexta generación de memorias V-NAND
La nueva tecnología V-NAND supera las limitaciones actuales de acumulación de celdas, permitiendo por primera vez en la industria una infraestructura de más de 100 capas para obtener una velocidad y eficiencia superiores.
Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de almacenamiento, ha anunciado hoy que ha comenzado la producción en masa de su Disco de Estado Sólido (SSD) de 250GB SATAIII que integra la sexta generación de 256 gigabits V-NAND de la compañía para fabricantes de PCs. Al lanzar una nueva generación de V-NAND en solo 13 meses, Samsung ha reducido el ciclo de producción en masa en un plazo de cuatro meses al tiempo que garantiza el rendimiento, la eficiencia energética y la productividad de fabricación más altos de la industria.
“Al llevar nuestra tecnología de vanguardia de memoria 3D a la producción en masa, podemos introducir alineaciones en la memoria que elevan significativamente el listón de la velocidad y la eficiencia energética”, dice Celestino García Vicepresidente corporativo de Samsung Electronics. “Con ciclos de desarrollo más rápidos para los productos V-NAND de próxima generación, queremos comenzar el despliegue de nuestras soluciones basadas en V-NAND de 512 Gb de alta velocidad.”
La única Memoria 3D del mercado con más de 100 capas
La sexta generación V-NAND de Samsung proporciona la velocidad de transferencia más alta de la industria, aprovechando la prestigiosa fabricación de la compañía y llevando el mercado de la Memoria 3D a nuevas alturas.
Utilizando la tecnología exclusiva de Samsung, el nuevo V-NAND incrementa en un 40% el número de celdas a la estructura anterior de una única capa de 9 celdas. Esto es el resultado mediante la construcción de una pila de moldes conductores de electricidad de 136 capas, y mediante una perforación de los agujeros cilíndricos, creando células uniformes de captura de carga flash en 3D (CTF).
A medida que la pila de moldes en cada área de celda aumenta, los chips flash NAND tienen a ser más vulnerables a errores y latencias de lectura. Para suprimir estas limitaciones, Samsung ha incorporado un diseño de circuito de velocidad optimizado, que permite alcanzar una mayor velocidad de transferencia de datos, bajando de 450 microsegundos (μs) para operaciones de escritura y por debajo de 45 μs para lecturas. En comparación con la generación anterior, representa una mejora en el rendimiento del 10%, mientras que el consumo de energía ha sido reducido en un 15%. Con este diseño, Samsung podrá ofrecer soluciones V-NAND de próxima generación con más de 300 capas con solo montar tres de las pilas actuales, sin comprometer el rendimiento o la fiabilidad del chip.
Además, el número de orificios de canal necesarios para crear un chip de 256G ha disminuido de 930 a 670 con esta nueva generación, permitiendo una reducción del tamaño y una simplificación de pasos en el proceso de fabricación, incrementando la productividad en más del 20%.
Con esta combinación de alta velocidad y baja potencia, Samsung planea no solo ampliar el alcance de su V-NAND 3D a áreas como dispositivos móviles de próxima generación y servidores empresariales, sino también al mercado automotriz donde la fiabilidad es fundamental.
Tras la presentación de la unidad SSD de 250GB, Samsung planea ofrecer memorias SSD V-NAND de 3 bits en capacidad de 512Gb y eUFS durante la segunda mitad de este año. La compañía también espera incrementar la producción de soluciones V-NAND de sexta generación de mayor velocidad y mayor capacidad a partir del próximo año, para satisfacer la demanda global.
