Samsung Foundry estaría reservando una parte extraordinariamente grande de su capacidad de fabricación de 4 nm para los die base de memoria HBM4, según informaciones procedentes de medios surcoreanos. La compañía utilizaría su nodo SF4 para estos componentes y habría destinado alrededor de la mitad de toda su capacidad de 4 nm a cubrir una demanda creciente.
El movimiento llega mientras los clientes de HBM4 y la futura HBM4E comienzan a solicitar die base con lógica personalizada, capaces de integrar directamente controladores de memoria, PHY y otras funciones. Esta aproximación puede liberar superficie dentro del chip de cálculo principal y dar a los diseñadores de aceleradores y ASIC más margen para optimizar sus arquitecturas.
El die base de HBM4 gana mucha más importancia
En generaciones anteriores de HBM, el die situado en la base de la pila desempeñaba principalmente funciones de interfaz y conexión. Con HBM4, ese componente puede convertirse en una pieza mucho más compleja, fabricada mediante procesos lógicos avanzados y adaptada a las necesidades del cliente.
Samsung estaría produciendo estos die mediante su proceso SF4 de 4 nm, aprovechando una tecnología de fabricación mucho más cercana a la utilizada para lógica avanzada que a los nodos habituales en las propias celdas DRAM.
El cambio permite trasladar al die base funciones que anteriormente ocupaban espacio en el acelerador o ASIC principal. Entre las posibilidades mencionadas aparecen:
- Controladores de memoria personalizados, ajustados directamente a la arquitectura del cliente.
- PHY y lógica de interfaz, reduciendo la cantidad de circuitería necesaria dentro del chip de cálculo.
- Funciones específicas para ASIC, diseñadas alrededor de determinadas cargas de inteligencia artificial o procesamiento.
- Mayor integración entre memoria y lógica, con potencial para reducir distancias y simplificar determinados bloques del sistema.
No significa que el die base sustituya al chip de cálculo, sino que parte de la lógica asociada al subsistema de memoria puede desplazarse hacia la propia pila HBM, aumentando las posibilidades de personalización.
Hasta la mitad del nodo SF4 estaría dedicada a HBM4
La magnitud de la inversión resulta especialmente llamativa. Según las informaciones publicadas, los die base HBM4 ocuparían aproximadamente el 50% de la capacidad total de producción SF4 de Samsung.
La compañía opera estas líneas en sus complejos Pyeongtaek Campus 2 y Campus 3, utilizando las líneas S5 y S6. La capacidad de 4 nm tiene que atender al mismo tiempo otros diseños lógicos y encargos de clientes externos, por lo que reservar semejante proporción para HBM muestra la importancia estratégica que está adquiriendo este mercado.
El crecimiento no procede únicamente de fabricantes tradicionales de GPU. Los clientes que desarrollan ASIC específicos para inteligencia artificial tienen cada vez más interés en personalizar tanto el chip de cálculo como la memoria que lo acompaña, especialmente cuando buscan maximizar ancho de banda y eficiencia.
Para Samsung, esto crea una oportunidad doble: puede vender la propia memoria HBM y fabricar mediante Foundry el die lógico que se coloca debajo de la pila. Cuanto mayor sea el grado de personalización, mayor puede ser también el valor añadido respecto a suministrar únicamente DRAM.
Los ASIC impulsan la demanda de die personalizados
El auge de aceleradores diseñados específicamente para cada empresa está cambiando también la forma en la que se conciben los subsistemas de memoria. Un ASIC para IA no tiene por qué compartir exactamente la misma organización de memoria, interfaces o controladores que una GPU de propósito más general.
Poder adaptar el die base permite que cada cliente acerque determinadas funciones a la propia HBM y reduzca el espacio que esas estructuras consumirían en el chip principal. En diseños extremadamente grandes, recuperar superficie del die de cálculo puede resultar muy valioso, tanto por costes como por posibilidades de integración.
Esta tendencia podría intensificarse con HBM4E, donde se espera que continúe creciendo el nivel de personalización. La fabricación del die base pasa así a convertirse en otro terreno de competencia entre las grandes fundiciones, además de la producción de los propios procesadores.
Para Samsung Foundry supone además una vía para aumentar la utilización de sus líneas de nodos avanzados en un momento en el que la inteligencia artificial está absorbiendo enormes cantidades de silicio y memoria de alto ancho de banda.
Samsung ya controla el 38% de los ingresos del mercado HBM
La expansión llega después de una mejora considerable de Samsung dentro del mercado HBM. Durante el segundo trimestre de 2026, la compañía alcanzó el 38% de los ingresos globales, frente al 15% registrado un año antes.
La evolución de los dos principales fabricantes durante ese periodo muestra un cambio bastante significativo:
- Samsung: del 15% en Q2 de 2025 al 38% en Q2 de 2026.
- SK hynix: del 64% al 50% durante el mismo periodo.
SK hynix continúa manteniendo la primera posición, pero su ventaja se ha reducido de forma notable conforme más clientes han diversificado proveedores y aumentado sus compras a Samsung.
Ese crecimiento no significa necesariamente que Samsung esté desplazando a su rival en todos los contratos. El mercado HBM está aumentando rápidamente y la diversificación de suministro permite que varios fabricantes crezcan en volumen incluso cuando cambia su reparto de ingresos.
La personalización puede convertirse en otra ventaja competitiva
Hasta ahora, buena parte de la batalla en HBM se ha centrado en capacidad, ancho de banda, consumo y volumen de producción. HBM4 añade otra dimensión: hasta qué punto cada proveedor puede adaptar la base lógica a las necesidades concretas de sus clientes.
Samsung dispone aquí de una posición particular porque controla tanto la fabricación de DRAM como una división Foundry capaz de producir lógica en nodos avanzados. Esa integración puede facilitar proyectos en los que el cliente necesite memoria y un die base personalizado dentro del mismo ecosistema industrial.
La estrategia tampoco está exenta de costes. Reservar hasta la mitad de la capacidad SF4 para HBM4 significa dedicar recursos que podrían utilizarse en otros chips de 4 nm, por lo que Samsung necesita suficiente volumen de pedidos para justificar la asignación.
Si la demanda continúa creciendo, la decisión podría reforzar todavía más su posición en un mercado donde Samsung ya ha pasado del 15% al 38% de los ingresos en apenas un año. HBM4 no solo elevará el rendimiento de la memoria: también está convirtiendo el pequeño die situado bajo la pila en una pieza cada vez más estratégica.
Vía: TechPowerUp
