La firma Samsung ha logrado progresos más sólidos con su proceso de 2 nm GAA que con el problemático salto previo a 3 nm GAA, pero el nivel real de rendimiento de fabricación en nodos avanzados sigue siendo una incógnita clave para su estrategia de foundry. La llegada del Exynos 2600, su primer chipset fabricado en 2 nm, marca un paso importante, aunque algunas estimaciones apuntan a que la rentabilidad prevista para 2027 todavía exige mejoras sustanciales en eficiencia industrial.
En el sector de semiconductores, donde la producción masiva en procesos punteros depende de cifras estables, incluso pequeñas variaciones en el aprovechamiento de obleas, la madurez del encapsulado y la capacidad de volumen pueden alterar contratos multimillonarios y desplazar pedidos hacia rivales como TSMC.
KeyBank enfría las expectativas sobre el 2 nm GAA de Samsung
Un análisis conservador de KeyBank sostiene que el proceso de 2 nm GAA de Samsung podría situarse por debajo del 40% de rendimiento industrial, una cifra inferior a reportes previos que hablaban de un avance cercano al 50% en tasas iniciales. Esta diferencia no es menor, porque el nodo de 2 nm con transistores GAA es el que debe sostener la próxima generación de chips móviles y atraer clientes externos.
Samsung ya habría desviado parte de su atención hacia SF2P, la segunda generación del nodo de 2 nm, con ajustes destinados a elevar la estabilidad en litografía EUV y mejorar la madurez del proceso productivo. El mercado sigue pendiente de si el fabricante puede consolidar un salto real frente a su accidentada experiencia con los 3 nm GAA, donde el rendimiento fue un freno claro para captar pedidos estratégicos.
El Exynos 2600 y la presión del mercado de chips avanzados
El Exynos 2600 ya aparece vinculado a futuros dispositivos plegables como el Galaxy Z Flip 8, lo que sugiere que Samsung confía lo suficiente en su capacidad productiva como para montar este silicio de SoC en 2 nm dentro de modelos de alto volumen. Además, la planta de Taylor (EE.UU.), inicialmente pensada para 4 nm, estaría completando su transición hacia fabricación en 2 nm, con maquinaria EUV de ASML entrando en fase de pruebas este mismo año.
Todo esto se enmarca en un contexto donde TSMC está saturada por una demanda extrema de chips de IA, silicio de GPU y procesadores de gama alta. Algunas compañías estarían pagando primas de hasta un 100% para asegurar capacidad, lo que abre una ventana estratégica para Samsung como alternativa en el sector de semiconductores avanzados.
Dudas, estimaciones y el peso real de los pedidos industriales
Si el rendimiento estuviera realmente por debajo del 40%, sería difícil justificar acuerdos de gran escala como una posible asociación multimillonaria con Tesla, ya que ningún cliente movería producción crítica sin ver resultados tangibles en estabilidad de nodo. Por eso, parte del sector considera que las cifras de KeyBank podrían no reflejar el estado real del proceso.
Lo llamativo es que desde septiembre de 2025, cuando se habló por primera vez de producción en masa del Exynos 2600, el porcentaje del 50% de rendimiento estimado apenas habría variado, algo poco habitual si el nodo estuviera madurando con rapidez. Esto deja dos opciones: o la industria no dispone aún de datos fiables, o las estimaciones conservadoras son más cercanas a la realidad.
Samsung, por su parte, se ha limitado a señalar que no comenta “rumores ni especulación sin base”, reforzando la idea de que el rendimiento exacto del 2 nm GAA sigue siendo un dato interno. En cualquier caso, la batalla por el liderazgo en 2 nm con GAA y EUV será decisiva para la competencia en el sector de semiconductores durante los próximos años.
Vía: Wccftech
