Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 dispondría de una configuración de núcleos de CPU 1+5+2 y compatibilidad con almacenamiento UFS 4.1

Los nuevos benchmarks del Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 indican enormes mejoras de la GPU y un sólido impulso del CPU

Últimamente, han aparecido en Internet numerosos rumores sobre el SoC Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3. La nueva generación de AP móvil se lanzará a principios de año, al igual que su predecesora.

Sin embargo, la configuración de su núcleo es muy rebatida, ya que un filtrador afirma que mantendrá la disposición 1+4+3 del Snapdragon 8 Gen 2. Al mismo tiempo, la última de Weibo sugiere que eliminará otro núcleo de eficiencia en favor de un núcleo de rendimiento en una configuración 1+5+2.

Revegnus, un filtrador de Twitter, ha descubierto que el Snapdragon 8 Gen 3 contará con un núcleo Cortex-X4 a 3,2 GHz. Es probable que dicha cifra sea errónea, ya que una anterior filtración afirmaba que podría llegar hasta los 3,75 GHz. Sus cinco núcleos Cortex-A720 funcionarán a 3,0 GHz y dos núcleos Cortex-A520 a 2,0 GHz.

Esto es mucho más probable, puesto que el Snapdragon 8 Gen 3 necesitará todos los núcleos de rendimiento que pueda obtener para lograr 1.930/6.236 puntos en las pruebas mononúcleo y multinúcleo de Geekbench, como auguraba otra filtración.

Otras especificaciones del Snapdragon 8 Gen 3 incluyen memoria UFS 4.1, RAM LPDDR5 7.500 MT/s, una GPU Adreno 750 y un módem Qualcomm X75 5G. Dicho filtrador (y otros muchos) insisten en que el Snapdragon 8 Gen 3 se fabricará en el nodo de proceso N4P de TSMC, lo que implica que tres generaciones de buques insignia de Qualcomm se estancarán en lo que en realidad son diferentes versiones del nodo N5 de TSMC.

Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 dispondría de una configuración de núcleos de CPU 1+5+2 y compatibilidad con almacenamiento UFS 4.1

Además, las enormes ganancias de rendimiento señaladas anteriormente requerirán algo más que una ligera mejora de los nodos. Esto nos lleva a dos posibles hipótesis: la primera, que el Snapdragon 8 Gen 3 se trate en realidad de un chip de 3 nm fabricado en el nodo de última generación de Samsung o TSMC.

En caso contrario, si está basado en N4P, la puntuación de Geekbench que se ha difundido estaría enormemente inflada, y sus mejoras de rendimiento en la realidad podrían ser mucho menos significativas.

Vía: NotebookCheck

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