Neo Semiconductor, fabricante estadounidense de memorias flash 3D NAND, lanza sus chips de memoria 3D X-DRAM, los primeros del mundo similares a las memorias DRAM 3D NAND con capacidades muy superiores a las de las actuales soluciones 2D DRAM.
La primera iteración de la tecnología 3D X-DRAM puede alcanzar una densidad de 128 Gb con 230 capas por chip, 8 veces más que los actuales chips DRAM 2D. Neo Semiconductor cree que esta solución puede ampliarse más fácilmente y resulta menos compleja de implantar que otras alternativas de 3D DRAM, lo que la convierte en una firme candidata a reemplazar a la 2D DRAM en un futuro próximo.
La ventaja de la tecnología 3D X-DRAM radica en el uso del innovador diseño Floating Body Cell (FBC), que almacena los datos como cargas eléctricas utilizando un transistor y cero condensadores. A diferencia de otras alternativas a la 3D DRAM que intentan crear nuevos diseños más complejos, la 3D X-DRAM aprovecha los maduros procesos 3D NAND actuales, por lo que solo requiere una matriz para definir los orificios de las líneas de bits y formar la estructura de celdas en el interior de los orificios. Este enfoque puede simplificar enormemente la producción, implementación y transición desde la 2D DRAM.
Neo Semiconductor ya publicó todas las solicitudes de patente pertinentes en la USPAP el pasado 6 de abril. La compañía está decidida a impulsar en la industria la 3D X-DRAM como solución imprescindible para satisfacer la creciente demanda de memoria de alto rendimiento y capacidad provocada por los rápidos avances de la IA.
Según las estimaciones de Neo Semiconductor, la capacidad de memoria podría duplicarse hasta 256 Gb en 2025, mientras que en una década podrían ofrecerse capacidades de 1 Tb. Se dará a conocer más información en la Flash Memory Summit del próximo 9 de agosto.
Vía: NotebookCheck
