Micron ha presentado su solución de almacenamiento móvil UFS 4.0 y ha revelado que ya ha enviado muestras de cualificación a «determinados fabricantes de smartphones y proveedores de chipsets de todo el mundo».
La nueva tecnología se utilizará para fabricar unidades de almacenamiento de 256 GB, 512 GB y 1 TB. La producción a gran escala comenzará en la segunda mitad del presente año, por lo que habrá que esperar hasta que lleguen los primeros smartphones con almacenamiento Micron UFS 4.0.
Este almacenamiento se basa en flash TLC de 232 capas (celdas de triple nivel, es decir, que almacenan 3 bits por celda). Según la propia compañía, su arquitectura NAND de seis planos permite un mayor rendimiento de lectura aleatoria. En comparación con la generación anterior, el ancho de banda de escritura es un 100% mayor y el de lectura, un 75%.
En cifras más concretas, el almacenamiento Micron UFS 4.0 ofrece hasta 4.300 MBps de velocidad de lectura secuencial y hasta 4.000 MBps de velocidad de escritura secuencial. Eso es más que el UFS 4.0 de Samsung, especialmente la velocidad de escritura.
Are you ready for the next big thing in #mobile storage? Introducing Micron UFS 4.0 storage, purpose-built for flagship smartphones. Built on advanced 232-layer 3D NAND, it delivers best-in-class performance and power in capacities up to 1TB. https://t.co/PWqS252Ccc pic.twitter.com/lnAXWFlwOW
— Micron Technology (@MicronTech) June 21, 2023
Además, los nuevos chips UFS 4.0 son un 25% más eficientes desde el punto de vista energético y prometen una latencia de escritura un 10% menor.
Vía: GSMArena
