Micron ha presentado su hoja de ruta para las próximas generaciones de memoria DRAM, HBM y NAND para dispositivos móviles, servidores e inteligencia artificial. Entre los anuncios destacan DDR6 con más del doble de ancho de banda que DDR5, LPDDR6 con mejoras energéticas superiores al 35% frente a LPDDR5 y futuros módulos RDIMM de 1 TB.
La compañía también ha adelantado avances en DRAM 1δ y NAND G11, cuya producción a gran escala está prevista para la segunda mitad de 2027, así como nuevas arquitecturas HBM que acercarán físicamente la memoria a los procesadores. No todas estas tecnologías tienen fecha de comercialización.
DDR6 y LPDDR6: más ancho de banda con menor consumo energético
La próxima memoria DDR6 ofrecerá más del doble de ancho de banda que DDR5, según el objetivo anunciado por Micron. La compañía trabaja con clientes estratégicos para introducirla en servidores, donde la transferencia de datos condiciona el aprovechamiento de procesadores y aceleradores.
En paralelo, LPDDR6 promete reducir el consumo energético más de un 35% respecto a LPDDR5 en determinadas configuraciones. Micron quiere llevarla también a centros de datos, donde el consumo de grandes capacidades de memoria cobra especial importancia.
Meta figura entre los colaboradores de Micron en el desarrollo de LPDDR6 para futuros centros de datos. Por ahora, la presentación no fija fechas de lanzamiento comercial para DDR6 ni LPDDR6, por lo que sus ventajas anunciadas deben entenderse como objetivos de la próxima generación.
Micron prepara módulos RDIMM de 1 TB para servidores
Otra de las novedades es el desarrollo de módulos RDIMM con hasta 1 TB de capacidad por unidad, pensados para servidores que necesitan mantener grandes conjuntos de datos y modelos de inteligencia artificial en memoria. La propuesta permitiría aumentar la RAM instalada sin incrementar proporcionalmente el número de ranuras ocupadas.
Micron sitúa estos módulos como una evolución de sus soluciones de alta capacidad, pero no ha concretado su fecha de lanzamiento, velocidad de transferencia ni plataformas compatibles. La capacidad total de un servidor dependerá de las configuraciones admitidas.
DRAM 1δ llegará en 2027 y Micron mantiene su apuesta por 6F²
El siguiente nodo destacado es DRAM 1δ (1-Delta), cuya ampliación de producción está prevista para la segunda mitad de 2027. Según las cifras presentadas, permitirá aumentar la densidad de bits alrededor de un 25% frente a 1γ mediante nuevos materiales, control del proceso a escala de angstroms y tecnología CMOS avanzada de tipo HKMG.
Micron prevé utilizar esta base de fabricación en productos como HBM5, vHBM, vEIM, DDR6 y LPDDR6. Una mayor densidad no implica por sí sola mejoras equivalentes de rendimiento.
A más largo plazo, la empresa continuará desarrollando celdas DRAM 6F² y no seguirá la vía 4F², que considera demasiado compleja y costosa para una escalabilidad viable. Su investigación también contempla unión de obleas, litografía High-NA EUV y futuras arquitecturas DRAM 3D, cuyo planteamiento consiste en crecer verticalmente cuando la miniaturización planar encuentre mayores límites.
HBM5, vHBM y vEIM: la memoria se acerca al procesamiento
En memoria de alto ancho de banda, Micron ha situado HBM4 en 2,8 TB/s por pila y contempla posteriores generaciones HBM4E, HBM5, HBM5E y HBM6. Junto con los diseños convencionales, prepara variantes personalizadas que incorporan lógica adicional en el chip base para adaptarse a las necesidades de distintos clientes.
La propuesta más ambiciosa es vHBM, que plantea apilar memoria directamente sobre el chip de procesamiento para acortar las conexiones y mejorar el ancho de banda por vatio. Para ello, investiga unión híbrida de cobre y soluciones avanzadas de refrigeración.
También trabaja en vEIM (Vertical Edge Inference Memory), orientada a sistemas de inferencia con mayores restricciones de consumo. La primera generación tiene como objetivos 2 TB/s de ancho de banda y menos de 1 pJ por bit transferido. La hoja de ruta apunta a 2028, sin confirmar disponibilidad comercial.
NAND G11 duplicará la densidad de G9 con más de 400 capas
En almacenamiento, la próxima NAND G11 combinará más de 400 capas y unión de obleas (wafer-on-wafer bonding). Micron prevé iniciar el aumento de producción en la segunda mitad de 2027, con una densidad de bits aproximadamente el doble de la generación G9 y mejoras tanto en transferencia como en eficiencia energética.
La compañía estima hasta 1,5 veces la velocidad de entrada y salida y más de un 25% menos de energía por bit transferido frente a G9. Son cifras de la tecnología NAND, no benchmarks de SSD completos: el rendimiento de una unidad comercial también depende de su controlador, interfaz y firmware.
NAND especializada en IA y desarrollo de SSD más rápido
Micron prepara además AI-class NAND, una familia orientada a tareas como búsquedas vectoriales, análisis de grafos, acceso a pesos de modelos y gestión de la caché KV. Contempla variantes de altas IOPS para accesos pequeños y otras de gran ancho de banda, apoyadas en apilamiento e interconexiones TSV para acercar los datos al procesamiento.
La inteligencia artificial también está entrando en el propio proceso de ingeniería de Micron. Según sus cifras, el tiempo necesario para preparar nuevos controladores SSD se ha reducido aproximadamente a la mitad, mientras determinadas tareas de desarrollo de productos han registrado mejoras de hasta el 60% en los plazos.
El objetivo común es aumentar la capacidad, el ancho de banda y la eficiencia energética. DDR6, LPDDR6 y los RDIMM de 1 TB responden a necesidades inmediatas de los sistemas de IA, mientras que vHBM, DRAM 3D y NAND G11 apuntan a cambios más profundos en la arquitectura y fabricación de futuras generaciones.
Vía: Wccftech
