Samsung ha sufrido un nuevo revés en sus planes de fundición. En sus instalaciones de Taylor (Texas), el fabricante notificó al personal que iba a retirar de forma temporal a los trabajadores porque sigue teniendo problemas con el rendimiento de los semiconductores de 2 nm, retrasando los plazos de producción en masa de finales del presente año a 2026.
El emplazamiento de Taylor se había concebido como la instalación insignia para la producción de sub-4 nm de la compañía, lo que permitiría el acceso a clientes potenciales en las proximidades de las instalaciones.
Si bien Samsung ha evolucionado rápidamente en términos de desarrollo de procesos, sus rendimientos para los nodos avanzados los han sobrepasado, los rendimientos de la empresa para los procesos de menos de 3 nm rondan el 50%, con una tecnología GAA (Gate-All-Around) con rendimientos de solo el 10-20%, significativamente inferiores al 60-70% de su inmediato competidor TSMC para los nodos correspondientes.
Las diferencias de rendimiento que experimenta la multinacional han exacerbado la brecha en la cuota de mercado, puesto que TSMC se hizo con el 62,3% de la cuota de mercado mundial de fundición en el segundo trimestre, frente al 11,5% de Samsung.
Pese a los continuos esfuerzos del presidente Lee Jae-yong, que incluyen visitas a los proveedores de componentes ASML y Zeiss, la firma lucha por ganar cuota de mercado, y estos rendimientos ponen en peligro hasta 9 billones de wones de posibles subvenciones de la Ley CHIP de Estados Unidos, que dependen de la consecución de hitos operacionales.
Vía: TechPowerUp
