KIOXIA, inventora de la memoria Flash NAND, ha recibido el premio Lifetime Achievement Award FMS: the Future of Memory and Storage del año 2024. El equipo de ingeniería de KIOXIA, del que forman parte Hideaki Aochi, Ryota Katsumata, Masaru Kito, Masaru Kido y Hiroyasu Tanaka, recibirá este prestigioso premio por su trabajo pionero en el desarrollo y la comercialización de la memoria Flash 3D. Esta revolucionaria tecnología ha pasado a ser fundamental en una amplia gama de aplicaciones informáticas, incluidos los smartphones avanzados, los ordenadores personales, las unidades SSD, los centros de datos, la IA y aplicaciones industriales.
KIOXIA presentó el concepto de la tecnología de memoria flash BiCS FLASH 3D en el simposio VLSI de 2007. Tras anunciar el prototipo, KIOXIA prosiguió con su desarrollo con el fin de optimizar la tecnología para la producción en masa, hasta finalmente presentar la primera memoria Flash 3D de 48 capas y 256 gigabits en 2015.
«La innovación de KIOXIA en la memoria Flash 3D ha revolucionado el almacenamiento de datos, pasando de un simple avance en las tecnologías existentes a una solución revolucionaria que satisface las demandas de la informática moderna», dijo Chuck Sobey, Director general de FMS. «Estamos encantados de destacar esta importante contribución, y esperamos ver qué nos depara el futuro.»
Gracias a su estructura de pila en 3D, que aumenta la capacidad y el rendimiento, la memoria flash BiCS FLASH 3D ha impulsado la transformación del sector de las memorias digitales. La tecnología ha permitido realizar soluciones de memoria de mayor densidad, conservando a la vez la fiabilidad y la eficiencia y aumentando considerablemente la capacidad de los centros de datos, los equipos electrónicos de consumo y los dispositivos móviles, estableciendo así un nuevo referente en la tecnología de la memoria Flash. La tecnología BiCS FLASH de KIOXIA se beneficia de las ventajas del apilamiento vertical para subsanar las limitaciones de la tecnología flash NAND plana y preparar así el terreno para el desarrollo futuro de soluciones de memoria y consolidando a KIOXIA Corporation como un líder del sector.
«La innovación tecnológica de KIOXIA en el sector de la memoria flash 3D es indiscutible», comentó Atsushi Inoue, vicepresidente y director de tecnología de la División de memoria de KIOXIA Corporation. «Nuestra tecnología ha creado un nuevo paradigma en el sector, que permite a la memoria flash aumentar enormemente la densidad de almacenamiento por celda, matriz y paquete. Estoy muy satisfecho de constatar el reconocimiento de nuestros logros y espero que sigan influyendo en la industria en los próximos años.»
«Mis compañeros ingenieros de KIOXIA son una inspiración, no solo por sus logros tecnológicos, sino también por su compromiso por fomentar el avance en este sector con su capacidad de innovación y su apoyo a otros especialistas a su alrededor», destacó Ryota Katsumata, miembro senior del Centro avanzado de desarrollo de memoria de KIOXIA Corporation. «Nuestras contribuciones no solo han tenido un impacto resonante, sino que también han fomentado un espíritu de innovación y colaboración dentro de la comunidad. Es maravilloso comprobar que este liderazgo y visión son reconocidos.»
Esta tecnología de memoria flash 3D ha sido reconocida asimismo con el premio Imperial Invention Prize de la National Commendation for Invention de 2020 en Japón y recibió el premio Award for Science and Technology from The Commendation for Science and Technology de 2023 del Ministerio de Educación, Cultura, Deporte, Ciencia y Tecnología de Japón y el premio IEEE Andrew S. Grove Award de 2021.
