Intel Foundry ha desarrollado el chiplet de GaN más delgado del mundo, con un grosor de solo 19 μm, marcando un nuevo hito en miniaturización dentro del sector de semiconductores. Este avance no se limita al tamaño, ya que introduce integración directa entre potencia y control digital, un punto clave para mejorar eficiencia en sistemas de alto rendimiento.
La demostración tuvo lugar en el IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2025, donde la compañía abordó uno de los grandes retos actuales: aumentar rendimiento y eficiencia sin disparar consumo ni espacio, un equilibrio cada vez más complejo en centros de datos y arquitecturas modernas.
Un chiplet ultrafino con integración real
El núcleo de este avance está en su arquitectura. El nuevo chiplet integra GaN y lógica digital en un único encapsulado, evitando la fragmentación en múltiples componentes. Este enfoque reduce la complejidad del sistema y mejora la eficiencia eléctrica, algo especialmente relevante en diseños de alto rendimiento.
Además, el grosor de solo 19 μm permite aumentar la densidad de integración. Esto facilita diseños más compactos y abre la puerta a acercar la regulación de potencia al propio procesador, reduciendo pérdidas y mejorando la eficiencia global del sistema.
Menos pérdidas y mejor entrega de energía
Uno de los beneficios más directos es la reducción de pérdidas. Al integrar funciones en un mismo chiplet, se minimiza la distancia de transmisión eléctrica, reduciendo el desperdicio energético y mejorando el rendimiento del sistema.
En este contexto, el uso de GaN frente a silicio tradicional permite conmutaciones más eficientes. Esto habilita reguladores de voltaje más compactos y cercanos al procesador, lo que reduce pérdidas resistivas y mejora la estabilidad en cargas intensivas.
Centros de datos: donde realmente importa
El impacto de esta tecnología se aprecia especialmente en centros de datos, donde la eficiencia energética es crítica. La combinación de GaN y chiplets permite mejorar la entrega de energía sin aumentar el consumo global.
Además, situar la regulación cerca del silicio de CPU o GPU permite optimizar el comportamiento del sistema. Esto se traduce en menor generación de calor, mayor densidad de hardware y mejor escalabilidad, factores clave en infraestructuras modernas orientadas a IA.
GaN frente al silicio: un cambio estructural
El uso de nitruro de galio (GaN) responde a las limitaciones del silicio en escenarios exigentes. Mientras el silicio pierde fiabilidad en entornos térmicos elevados, el GaN ofrece mayor densidad de potencia y mejor eficiencia en conmutación.
Esto permite operar en condiciones más exigentes con menos pérdidas energéticas. Como resultado, se reduce la necesidad de refrigeración y mejora la eficiencia global del sistema, algo clave en centros de datos y sistemas de alto rendimiento.
Aplicaciones en 5G, 6G y alta frecuencia
Más allá de centros de datos, esta tecnología tiene impacto en comunicaciones. Los transistores de GaN pueden superar los 200 GHz, lo que los convierte en una base sólida para infraestructura 5G avanzada y futuras redes 6G.
También encaja en aplicaciones como radares o comunicaciones por satélite. Además, el uso de obleas de 300 mm compatibles con la infraestructura actual facilita su adopción, reduciendo barreras para su implementación a nivel industrial.
Intel mueve ficha en eficiencia energética y centros de datos
Este avance refleja un cambio de fondo en la industria. Los límites del silicio están cada vez más cerca, y el sector necesita alternativas que permitan seguir escalando rendimiento y eficiencia.
Intel, a través de su división de fundición, busca posicionarse en entrega de potencia y eficiencia energética, ámbitos donde el crecimiento de la IA y los centros de datos está disparando la demanda. Este tipo de desarrollos encaja directamente en esa necesidad del mercado, reforzando su estrategia en infraestructuras de alto rendimiento.
Además, esta transición apunta a un escenario donde los chiplets y materiales como el GaN serán fundamentales. No se trata solo de miniaturizar, sino de replantear la arquitectura del hardware para mejorar eficiencia y escalabilidad, algo que marcará la evolución del sector.
Un paso hacia la era post-silicio
En conjunto, este chiplet de GaN de 19 μm representa algo más que una mejora puntual. Supone un avance hacia un modelo donde la eficiencia energética, la densidad y la integración serán los pilares del diseño.
Si esta tecnología escala a nivel comercial, podría marcar el inicio de una nueva etapa en la industria, donde el GaN complemente o sustituya al silicio en ciertos escenarios, especialmente en centros de datos, IA y comunicaciones avanzadas.
Vía: Wccftech
