GlobalFoundries ha presentado FDX Fusion, una nueva plataforma de fabricación de semiconductores basada en tecnología FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator), diseñada para combinar un rendimiento digital comparable al de procesos de clase 7 nm con un consumo reducido y capacidades avanzadas de integración. La compañía prevé comenzar su fabricación en 2028 en su planta de Dresde, Alemania, reforzando su apuesta por tecnologías especializadas.
El anuncio supone un nuevo paso para un fabricante que abandonó el desarrollo de su proceso FinFET de 7 nm en 2018 para concentrarse en soluciones diferenciadas. Con FDX Fusion, GlobalFoundries promete más del doble de densidad que su primera generación 22FDX, además de funciones orientadas a inteligencia artificial local, automoción, robótica y aplicaciones industriales que necesitan combinar procesamiento, sensores y comunicaciones.
GlobalFoundries recupera prestaciones de clase 7 nm sin volver a la carrera de los nodos más pequeños
En 2018, GlobalFoundries decidió suspender indefinidamente su programa de fabricación de 7 nm, debido al aumento de los costes de desarrollo y la complejidad necesaria para competir con los procesos más avanzados de TSMC y Samsung. La compañía optó entonces por centrar sus inversiones en tecnologías con características específicas, en lugar de continuar reduciendo las dimensiones de los transistores.
FDX Fusion representa una evolución de aquella estrategia. Según el anuncio oficial publicado el 9 de octubre, la primera generación de esta plataforma está diseñada para ofrecer rendimiento de lógica digital comparable al de procesos de clase 7 nm, manteniendo las ventajas de la arquitectura FD-SOI en eficiencia energética e integración de funciones especializadas.
Sin embargo, la referencia a los 7 nm no significa que GlobalFoundries haya recuperado su antiguo proceso FinFET ni que FDX Fusion sea equivalente en todos los parámetros a los nodos de TSMC o Samsung. La compañía habla específicamente de prestaciones digitales previstas, sin proporcionar todavía comparaciones independientes de rendimiento, consumo o densidad frente a procesos comerciales de 7 nm.
La otra mejora anunciada es un aumento de densidad superior al doble respecto a la primera generación FDX, identificada comercialmente como 22FDX. Esta cifra describe la evolución dentro de la propia plataforma de GlobalFoundries y no demuestra que sus futuros chips alcancen la misma densidad que un procesador convencional fabricado mediante un nodo avanzado.
FD-SOI combina aislamiento eléctrico, bajo consumo y mayor integración
La principal diferencia de FDX Fusion respecto a otras tecnologías se encuentra en la utilización de silicio sobre aislante completamente agotado, conocido como FD-SOI. Esta arquitectura incorpora una capa aislante bajo una película muy delgada de silicio, donde se forman los transistores, reduciendo determinadas corrientes parásitas y mejorando su comportamiento eléctrico.
Una de sus ventajas es la posibilidad de ajustar las características de funcionamiento mediante la polarización del sustrato (body biasing). Esto permite adaptar el equilibrio entre rendimiento y consumo según las necesidades de cada aplicación, una capacidad especialmente interesante para dispositivos que alternan periodos de actividad intensa con estados de bajo consumo.
GlobalFoundries combina estas propiedades con innovaciones en los transistores, los materiales del sustrato y las interconexiones, buscando aumentar la densidad sin renunciar a funciones que pueden resultar más complejas de integrar en procesos orientados exclusivamente al máximo rendimiento digital.
La plataforma contempla memoria no volátil integrada, computación en memoria y circuitos analógicos y de señal mixta. Estas capacidades permitirían desarrollar chips que realicen tareas de procesamiento y control sin depender de numerosos componentes externos, reduciendo potencialmente el tamaño, el consumo y la complejidad del sistema completo.
Otro apartado relevante es la integración de funciones de radiofrecuencia, con objetivos de rendimiento de hasta 0,5 THz en los parámetros fT/fmax. Estos valores describen características de los dispositivos de radiofrecuencia y no deben confundirse con la frecuencia de funcionamiento de una CPU, que responde a parámetros completamente diferentes.
FDX Fusion se dirige a la inteligencia artificial física y los sistemas industriales
La nueva tecnología está especialmente orientada a Physical AI o inteligencia artificial física, un concepto que engloba sistemas capaces de interpretar información de su entorno y actuar sobre ella. GlobalFoundries identifica cuatro operaciones fundamentales: detectar, procesar, actuar y comunicar, conocidas mediante las siglas STAC.
Esta aproximación resulta relevante para vehículos, robots industriales, sensores inteligentes y sistemas autónomos, donde las decisiones deben tomarse con una latencia reducida. En estos escenarios, enviar constantemente todos los datos a un centro de procesamiento remoto puede incrementar el consumo energético y los tiempos de respuesta.
Al integrar lógica digital, funciones analógicas, comunicaciones y memoria en una misma plataforma, FDX Fusion busca facilitar el desarrollo de circuitos especializados que realicen parte de esas operaciones localmente. Esto no significa que pueda sustituir a las GPU de alto rendimiento utilizadas para entrenar grandes modelos de IA, sino que se dirige a necesidades diferentes dentro del procesamiento inteligente.
GlobalFoundries también destaca el soporte para arquitecturas RISC-V y propiedad intelectual de procesadores MIPS y ARC, junto con herramientas de diseño destinadas a acelerar el desarrollo de chips personalizados. La compañía ya trabaja con varios clientes en la evaluación de la plataforma, aunque todavía no ha anunciado productos comerciales concretos fabricados mediante FDX Fusion.
Dresde comenzará a fabricar FDX Fusion en 2028, con las primeras muestras previstas para 2027
El calendario presentado por GlobalFoundries establece la disponibilidad de los primeros chips de demostración durante los primeros meses de 2027. Estas muestras permitirán a los clientes evaluar la tecnología antes de comprometerse con diseños comerciales, aunque no equivalen a componentes terminados y listos para producción en grandes volúmenes.
Posteriormente, la compañía espera publicar el primer PDK (Process Design Kit) a mediados de 2027. Este conjunto de herramientas, modelos y reglas de diseño permitirá adaptar circuitos a las características del proceso de fabricación, una etapa imprescindible para que los desarrolladores preparen sus futuros semiconductores.
La fabricación está prevista para 2028 en las instalaciones de GlobalFoundries en Dresde, donde también avanza el proyecto de ampliación SPRINT, valorado en 1.100 millones de euros. La iniciativa busca elevar la capacidad total del complejo hasta superar un millón de obleas de 300 mm anuales a finales de 2028, aunque esta cifra corresponde al conjunto de tecnologías fabricadas en la planta y no exclusivamente a FDX Fusion.
El proyecto también tiene importancia para la autonomía industrial europea en semiconductores. Aumentar la fabricación regional de chips destinados a automoción, comunicaciones y sistemas industriales puede reducir determinadas dependencias de proveedores externos, aunque no elimina la necesidad de materiales, maquinaria y componentes procedentes de cadenas de suministro internacionales.
Una alternativa especializada frente a los procesos convencionales de última generación
El principal atractivo de FDX Fusion reside en combinar prestaciones digitales elevadas con capacidades analógicas, de radiofrecuencia y memoria integrada, sin perseguir necesariamente las mismas prioridades que los procesos utilizados en CPU y GPU de máxima potencia. Esta especialización puede resultar más útil que una reducción extrema del tamaño de los transistores en determinadas aplicaciones industriales.
No obstante, las cifras anunciadas son objetivos de desarrollo y todavía deben validarse mediante silicio comercial. GlobalFoundries tendrá que demostrar que las mejoras de densidad y rendimiento pueden alcanzarse con costes competitivos y un rendimiento de fabricación suficiente para producir chips de forma sostenida.
Con FDX Fusion, GlobalFoundries refuerza su estrategia de competir mediante tecnologías diferenciadas en lugar de regresar directamente a la carrera de los nodos más pequeños. Si cumple su calendario, Dresde comenzará a fabricar en 2028 una plataforma FD-SOI destinada a nuevos sistemas de inteligencia artificial física, ampliando las alternativas disponibles para los diseñadores de semiconductores especializados.
Vía: TechPowerUp
