DNP presenta un molde de litografía NIL con líneas de 10 nm para semiconductores de 1,4 nm

DNP presenta un molde de litografía NIL con líneas de 10 nm para semiconductores de 1,4 nm

La japonesa Dai Nippon Printing (DNP) ha anunciado el desarrollo de un molde de litografía nanoimpronta (NIL) con un ancho de línea de 10 nm, diseñado para la producción de semiconductores lógicos equivalentes a la generación de 1,4 nm. Este avance pretende ofrecer una alternativa parcial a la litografía EUV, reduciendo tanto el coste de fabricación como el impacto energético en el proceso de exposición.

La compañía lleva investigando esta tecnología desde 2003, acumulando experiencia en patronado de alta precisión para sectores como smartphones, centros de datos y memorias NAND flash.

Una alternativa más eficiente a la litografía EUV

El uso de EUV (Extreme Ultra-Violet) se ha convertido en el estándar para chips de vanguardia, pero exige inversiones multimillonarias y un consumo energético elevado. Con la nueva plantilla NIL, DNP propone un enfoque que presiona los patrones directamente sobre el sustrato, reduciendo la energía utilizada durante la exposición.

Según la compañía, esta tecnología puede disminuir el consumo eléctrico hasta una décima parte respecto a los métodos actuales basados en ArF inmersión o EUV, lo que supondría un paso adelante hacia una fabricación más sostenible de chips avanzados.

Fabricación mediante doble patrón autoalineado

Para alcanzar el nivel de 10 nm, DNP ha aplicado un proceso de Self-Aligned Double Patterning (SADP), que duplica la densidad de los patrones mediante deposición de película y grabado controlado con máscaras electrónicas.

La compañía combinó su experiencia en fabricación de fotomáscaras con técnicas de procesado de obleas para desarrollar el molde, que permite obtener patrones más finos en semiconductores lógicos de nueva generación sin necesidad de infraestructura EUV. Este avance facilitará a los fabricantes reducir costes y acelerar la transición a nodos más pequeños.

DNP presenta un molde de litografía NIL con líneas de 10 nm para semiconductores de 1,4 nm

Próximos pasos y producción en masa

DNP ya ha comenzado la evaluación del nuevo molde NIL con varios fabricantes de semiconductores y espera iniciar la producción en masa en 2027. La empresa planea aumentar la capacidad de producción y alcanzar ventas de 4.000 millones de yenes (~27,1 M€) en el ejercicio fiscal de 2030.

El nuevo molde de 10 nm se mostrará públicamente en el stand E5936 del East Hall 6 durante la feria SEMICON Japan 2025, que se celebrará del 17 al 19 de diciembre en el recinto Tokyo Big Sight, donde DNP exhibirá su enfoque hacia una litografía más eficiente y ecológica.

Vía: TechPowerUp

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