DNP logra una resolución de patrón fina en las fotomáscaras litográficas EUV para la generación de más de 2 nm
DNP ha logrado con éxito la resolución de patrón fina necesaria para las fotomáscaras de semiconductores lógicos para una generación de más de 2 nm (nm: 10-9 metros) que admiten la litografía ultravioleta extrema (EUV), un proceso puntero en la… Leer más
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12 de diciembre de 2024
