SK hynix estaría encontrando dificultades durante el desarrollo del hybrid bonding para sus futuras memorias HBM, según un ingeniero de desarrollo de procesos del instituto de investigación tecnológica de la compañía citado por Damnang. Los problemas serían suficientemente importantes como para que todavía no haya comenzado la producción de muestras mediante esta técnica.
La situación podría dar margen a Samsung, que según la misma información ya habría enviado a clientes muestras de memoria HBM fabricadas mediante hybrid bonding. El dato resulta relevante en plena transición hacia pilas con más capas y mayores capacidades, aunque ninguna de estas afirmaciones constituye por ahora una confirmación oficial de SK hynix o Samsung.
Damnang apunta a dificultades de SK hynix con el hybrid bonding
La información procede de Damnang, que cita a un ingeniero de desarrollo de procesos del Future Technology Research Institute de SK hynix. Según este testimonio, la compañía todavía estaría resolviendo problemas técnicos que han impedido comenzar la fabricación de muestras HBM mediante hybrid bonding.
Esto no significa que SK hynix haya abandonado la tecnología ni que sus productos HBM actuales estén afectados. El problema estaría relacionado con una técnica de integración destinada a futuras generaciones, mientras sus memorias comerciales continúan utilizando procesos de apilado ya consolidados.
La diferencia temporal puede ser importante porque Samsung habría avanzado hasta la fase de muestras para clientes. Si ambas informaciones son correctas, su rival dispondría actualmente de cierta ventaja en la validación del hybrid bonding, aunque todavía falta conocer rendimiento de fabricación, costes y calendario para producción en volumen.
El hybrid bonding elimina los microbumps tradicionales entre los dies
El hybrid bonding combina conexiones directas de cobre con la unión de las superficies dieléctricas entre dies, eliminando los microbumps utilizados tradicionalmente para realizar las interconexiones verticales. Esto permite reducir la distancia entre conexiones y el espacio ocupado por cada unión.
En memoria HBM, una separación menor puede proporcionar mayor densidad de interconexión y menor capacitancia, además de favorecer la eficiencia energética. Su importancia aumenta conforme los fabricantes intentan colocar más capas dentro de una altura física limitada sin penalizar excesivamente consumo o características térmicas.
El proceso, sin embargo, resulta mucho más exigente desde el punto de vista de fabricación. El hybrid bonding necesita alineación extremadamente precisa y superficies prácticamente libres de defectos, porque una contaminación o irregularidad microscópica puede comprometer las conexiones entre ambos dies.
El desafío aumenta todavía más con pilas HBM formadas por numerosas capas. Un defecto durante una etapa avanzada puede afectar a un conjunto mucho más costoso, de modo que conseguir una tasa elevada de componentes funcionales resulta imprescindible antes de trasladar la tecnología a grandes volúmenes.
Las futuras pilas HBM podrían beneficiarse especialmente de esta tecnología
El interés por el hybrid bonding aumenta con configuraciones de 16 capas o incluso superiores, porque eliminar los microbumps permite reducir parte del espacio vertical utilizado por las conexiones. Eso facilita aumentar la capacidad sin incrementar proporcionalmente el grosor total de la pila HBM.
También puede ayudar a reducir distancias eléctricas y pérdidas en las conexiones, dos factores cada vez más importantes cuando crecen el ancho de banda y el consumo. Sin embargo, las ventajas teóricas solo tendrán valor comercial si los fabricantes consiguen producir estas pilas con costes y rendimientos competitivos.
Por eso, que Samsung haya enviado supuestamente muestras no significa que tenga resuelta la producción masiva. Validación por clientes, fiabilidad a largo plazo y rendimiento de fabricación serán determinantes antes de considerar el hybrid bonding una ventaja comercial consolidada.
Samsung gana terreno mientras SK hynix mantiene el liderazgo
La información aparece mientras Samsung está recortando distancias en el mercado HBM. Los datos citados sitúan actualmente a SK hynix alrededor del 50% de cuota, mientras Samsung alcanzaría aproximadamente un 33% en un mercado dominado cada vez más por HBM3E y HBM4.
SK hynix habría llegado anteriormente a concentrar cerca del 64% del gasto mundial en memoria HBM, por lo que el descenso hacia el 50% refleja una reducción de su ventaja. Eso no significa necesariamente que los problemas con hybrid bonding sean responsables de esa evolución, ya que la tecnología todavía pertenece principalmente a futuras generaciones.
El retraso no implica que SK hynix vaya a perder automáticamente clientes
SK hynix conserva una posición muy fuerte gracias a su experiencia en HBM y sus relaciones con grandes clientes de aceleradores de IA. Un retraso en hybrid bonding no afecta automáticamente a los contratos actuales ni significa que Samsung vaya a superar inmediatamente a su rival.
La situación sí podría cobrar más importancia cuando los clientes necesiten mayores capacidades, más capas y mejor eficiencia energética. Si Samsung logra industrializar antes el hybrid bonding, podría disponer de una ventaja para ofrecer pilas HBM más densas y avanzadas en próximas generaciones.
Por ahora, el supuesto retraso debe tratarse como información atribuida a Damnang y a su fuente dentro de SK hynix. La diferencia real entre ambos fabricantes se conocerá cuando aparezcan productos comerciales, calendarios de producción y datos de fabricación basados en hybrid bonding.
Vía: TechPowerUp
