Samsung y SK hynix podrían retrasar la adopción del hybrid bonding en memoria HBM4, según un informe de la prensa coreana. El motivo estaría en una posible relajación de los estándares de JEDEC, que permitiría stacks de HBM más gruesos y reduciría la urgencia de adoptar un empaquetado más complejo y caro.
La tecnología seguiría siendo importante para la memoria de próxima generación, pero quizá no llegaría de forma masiva con HBM4. En su lugar, ambos fabricantes podrían reservar el salto para HBM4E o incluso para generaciones posteriores, dependiendo de la demanda real de NVIDIA y otros grandes clientes de IA.
JEDEC podría dar más margen al grosor de la HBM
El punto clave está en el grosor permitido para los stacks de HBM. Informes previos hablaban de elevar el estándar de HBM4 desde 775 micrómetros hacia rangos de 825 a 900 micrómetros, lo que facilitaría mantener técnicas de ensamblaje más convencionales sin forzar tanto el diseño físico del apilado.
Ahora, ZDNet Korea apunta también a una posible relajación futura para HBM5, que pasaría de 900 micrómetros a 1.000 micrómetros. Aunque el cambio afectaría a otra generación, la señal es clara: JEDEC estaría dando a los fabricantes más margen mecánico para apilar DRAM sin cambiar de golpe el método de bonding.
Ese margen importa porque el hybrid bonding se vuelve más atractivo cuando el grosor es muy restrictivo. Si el estándar permite stacks algo más altos, los fabricantes pueden seguir usando procesos conocidos durante más tiempo. La consecuencia sería menos presión inmediata para adoptar una tecnología todavía cara y delicada.
HBM4 podría seguir con bonding térmico tradicional
La HBM actual suele usar thermal compression bonding, con bumps y underfill entre las capas de DRAM. Este método está muy asentado, pero añade material entre chips y complica la disipación térmica. Aun así, para producción masiva, sigue teniendo una ventaja clara en madurez, coste y rendimiento de fabricación.
El hybrid bonding elimina bumps tradicionales y underfill, conectando superficies de forma directa. Eso mejora densidad, reduce distancia eléctrica y ayuda a disipar calor, pero exige alineación extrema, superficies muy limpias y control de proceso mucho más avanzado.
Si HBM4 puede cumplir los límites físicos con bonding tradicional, Samsung y SK hynix tendrían pocos incentivos para asumir el riesgo antes de tiempo. La memoria para IA ya está sometida a una presión enorme, y cambiar de tecnología de bonding puede afectar coste, capacidad disponible y estabilidad de producción.
SK hynix ya habría probado stacks de 12 capas con hybrid bonding
El interés por el hybrid bonding no desaparece. En abril ya se apuntó que SK hynix habría verificado un chip HBM de 12 capas usando esta técnica, con la posibilidad de llevarla a HBM4. Ese avance demuestra que la tecnología existe, pero no necesariamente que vaya a entrar de inmediato en producción masiva de alto volumen.
Una cosa es validar un diseño y otra escalarlo para clientes como NVIDIA. La HBM se vende en cantidades enormes y con requisitos de fiabilidad muy estrictos. Cualquier cambio de proceso debe demostrar rendimiento, estabilidad térmica y tasa de fabricación suficientemente alta.
Por eso la relajación de estándares puede cambiar el calendario. Si las exigencias de altura se suavizan y los clientes no fuerzan stacks más altos, los fabricantes pueden posponer el hybrid bonding sin renunciar a él. Sería una transición más gradual, no una cancelación tecnológica.
La demanda de stacks de 16 capas estaría enfriándose
Según el informe, las conversaciones sobre HBM de 16 capas estarían prácticamente inactivas. Esto es importante porque esos stacks más altos son uno de los escenarios donde el hybrid bonding tendría más sentido. Si el mercado se mantiene en 12 capas, la urgencia técnica baja de forma notable.
Incluso HBM4E podría quedarse en stacks de 12 capas si los grandes clientes no empujan hacia más altura. NVIDIA y otros compradores de IA parecen estar ajustando prioridades, y eso reduce presión sobre Samsung y SK hynix para introducir un cambio radical en el empaquetado a corto plazo.
La industria no siempre adopta la tecnología más avanzada en cuanto está lista. Si el coste no compensa, si la demanda no lo exige o si los clientes prefieren estabilidad, los fabricantes suelen esperar. En este caso, la prioridad sería entregar mucha HBM fiable antes que estrenar bonding más sofisticado.
El calor sigue siendo el gran problema de la HBM
El hybrid bonding no solo mejora la densidad; también ayuda a disipar calor porque elimina el underfill, un material que actúa como aislante térmico entre capas. En memoria HBM para IA, donde el consumo y el ancho de banda son enormes, esa mejora puede ser muy valiosa para mantener rendimiento sostenido.
Samsung y SK hynix estarían buscando alternativas intermedias mediante dispositivos de disipación térmica. La idea sería obtener parte de las ventajas térmicas del hybrid bonding sin tener que modificar todavía todo el proceso de apilado. Es una solución menos elegante, pero más compatible con líneas de producción maduras.
Este enfoque puede funcionar mientras los stacks no crezcan demasiado. Si la cantidad de capas, el número de terminales de entrada/salida y la densidad siguen aumentando, llegará un punto donde los parches térmicos no basten. Ahí el hybrid bonding pasará de opción avanzada a necesidad técnica real.
HBM5E sí podría obligar al salto
ZDNet apunta que con HBM5E el aumento de terminales de entrada/salida haría inevitable el uso de hybrid bonding. Eso encaja con la lógica de escalado: cuanto más ancho de banda y más conexiones exige la memoria, más difícil resulta seguir usando bumps tradicionales sin perder densidad, eficiencia y control térmico.
HBM5E podría ser el punto donde la industria ya no tenga margen para retrasar el cambio. Más I/O implica más conexiones, más calor y menos espacio disponible entre capas. En ese escenario, el hybrid bonding aportaría interconexiones más finas y mejor comportamiento térmico.
La diferencia está en el calendario. Samsung y SK hynix pueden saltarse el hybrid bonding en HBM4, usarlo de forma limitada en HBM4E o reservarlo para HBM5E. Lo importante es que la tecnología sigue en la hoja de ruta, pero su adopción dependerá del equilibrio entre necesidad y coste.
Samsung y SK hynix ganarían tiempo de producción
Para ambos fabricantes, retrasar el hybrid bonding tendría ventajas claras. Permitiría seguir explotando procesos conocidos, reducir riesgos de rendimiento de fabricación y responder más rápido a la demanda de HBM. En plena fiebre de IA, la prioridad comercial es entregar volumen antes que rediseñar toda la cadena.
También hay una ventaja económica. La inversión en nuevas herramientas, control de superficies y validación de hybrid bonding no es menor. Si JEDEC permite stacks más gruesos, Samsung y SK hynix pueden amortizar más tiempo sus procesos actuales y reservar el cambio para productos de mayor margen o generaciones más exigentes.
Eso no significa que la industria se estanque. Significa que la transición se ajusta a la demanda real. Si los clientes no piden 16 capas de forma masiva y aceptan HBM4/HBM4E de 12 capas, el mercado puede avanzar con menos riesgo técnico y más capacidad disponible.
La HBM4 podría ser más continuista de lo esperado
La lectura final es que HBM4 quizá no marque el gran salto al hybrid bonding que muchos esperaban. Si los estándares de JEDEC dan más margen de grosor y los clientes retrasan stacks más altos, Samsung y SK hynix podrían optar por una evolución más prudente y menos disruptiva.
Esto no resta importancia al hybrid bonding. Al contrario, confirma que será clave cuando la HBM necesite más capas, más I/O y mejor disipación térmica. La diferencia es que su llegada masiva podría desplazarse hacia HBM4E, HBM5 o especialmente HBM5E.
Para el mercado de IA, la decisión tiene sentido práctico. La demanda de memoria es enorme y los fabricantes necesitan producir sin añadir riesgos innecesarios. Si pueden sostener HBM4 con bonding térmico y mejoras de disipación, ganan tiempo. El hybrid bonding llegará, pero quizá no tan pronto como se esperaba.
Vía: Wccftech
