Samsung sigue empujando el desarrollo de su memoria V-NAND con una nueva etapa técnica que podría llevarla hasta las 900 capas mediante Cell Multi-Bonding (CMB). La idea no pasa por fabricar un único chip monolítico de esa altura, sino por unir dos módulos V-NAND de 450 capas dentro de una misma solución.
Ese enfoque encaja con una realidad cada vez más clara en el sector: seguir sumando capas ya no depende solo del apilado vertical. A partir de cierto punto, también pesan la unión entre obleas, la deformación del silicio, el consumo energético y la viabilidad de fabricar estos chips en volumen.
Samsung busca otra forma de escalar la NAND
La tecnología Cell Multi-Bonding cambia el enfoque clásico de la V-NAND. En lugar de levantar una sola estructura cada vez más alta, Samsung optaría por combinar dos pilas de 450 capas mediante hybrid bonding, creando una solución equivalente a 900 capas con un proceso más controlable.
La unión se realiza mediante contactos metálicos embebidos, fusionando dos superficies de silicio para que trabajen como una sola estructura. Esta vía permite aumentar la densidad sin depender únicamente de torres NAND cada vez más difíciles de fabricar, algo clave si Samsung quiere llegar a la NAND de 1.000 capas hacia 2030.
El movimiento también tiene una lectura competitiva. SK hynix ya produce 4D NAND de 321 capas en volumen, mientras Samsung prepara su V-NAND de 10ª generación con más de 400 capas. CMB sería el siguiente salto para recuperar protagonismo en una carrera donde ya no basta con anunciar más niveles.
El reto real está en fabricar obleas tan complejas sin perder rendimiento
Unir dos estructuras de 450 capas no es una operación menor. Cuanto más gruesa es la oblea, más fácil es que aparezcan deformaciones, curvaturas o pequeñas desalineaciones durante el proceso. En memoria NAND, esos fallos pueden afectar la tasa de chips válidos, la estabilidad eléctrica y la fiabilidad a largo plazo.
Para reducir ese riesgo, Samsung habría desarrollado microscopic chucks capaces de controlar mejor la curvatura de las obleas. También habría introducido nuevas técnicas de bonding para corregir errores de overlay y desalineaciones, dos problemas críticos cuando se conectan tantas capas con precisión microscópica.
Aquí está la parte importante: alcanzar 900 capas en laboratorio no sería suficiente. Lo difícil es convertir esa estructura en un proceso repetible, rentable y apto para producción masiva. Si el rendimiento por oblea cae demasiado, la densidad extra pierde parte de su sentido económico.
Samsung también habría rediseñado las estructuras de bitline y wordline para contener consumo y tamaño. A más capas, más presión reciben las interconexiones internas, la distribución de energía y el control térmico del chip. Por eso esta evolución no depende solo del encapsulado, sino de una arquitectura NAND más eficiente por dentro.
Más capas, sí, pero solo si reducen el coste por bit
La V-NAND de 900 capas apunta directamente a SSD de mayor capacidad, almacenamiento empresarial y centros de datos. En esos mercados, el objetivo no es presumir de una cifra redonda, sino mejorar densidad por chip, coste por bit y capacidad por encapsulado sin disparar consumo o complejidad.
El contexto favorece este tipo de avances. La IA, los servidores y las cargas profesionales están empujando la demanda de almacenamiento, pero los fabricantes necesitan hacerlo con chips más densos y eficientes. Si CMB funciona, Samsung podría aumentar capacidad sin depender solo de estructuras verticales cada vez más difíciles.
La disponibilidad comercial, en cualquier caso, no parece inmediata. Primero debería llegar la producción masiva de la V-NAND de 10ª generación, con más de 400 capas por chip, y después el salto a diseños unidos mediante CMB. La hoja de ruta apunta alto, pero todavía queda validación industrial por delante.
La lectura final es sencilla: Samsung no está solo intentando apilar más capas, está buscando una vía nueva para que la NAND siga escalando cuando el método tradicional empieza a tensarse. Si CMB, hybrid bonding y las nuevas estructuras internas maduran bien, la próxima gran batalla del almacenamiento no estará solo en la célula de memoria, sino en cómo se unen y fabrican obleas cada vez más complejas.
Vía: TechPowerUp
