Intel está acelerando su estrategia de encapsulado avanzado con la puesta a punto de su nueva instalación en Malasia, un complejo clave dentro del Project Pelican que ya se encuentra al 99% de finalización. La planta entrará en operación completa este mismo año y se centrará en tareas de ensamblado y testeo, un paso fundamental dentro de la expansión de su negocio de foundry.
El proyecto, valorado en aproximadamente 7.000 millones de dólares, busca convertir Malasia en un nodo estratégico para el desarrollo de diseños basados en chiplets, apoyándose en tecnologías como EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) y Foveros, esenciales para los chips de alto rendimiento actuales.
Malasia como eje del encapsulado avanzado en la estrategia de Intel
La nueva instalación permitirá gestionar flujos completos de producción, desde el die sort hasta el ensamblado final, integrando procesos clave en el desarrollo de chips avanzados. Este enfoque refuerza el papel de Malasia como centro neurálgico dentro del ecosistema de fabricación y encapsulado de la compañía.
El despliegue forma parte de una estrategia más amplia para fortalecer la posición de Intel en el segmento de semiconductores avanzados, donde el encapsulado se ha convertido en un elemento crítico para mejorar la densidad, el rendimiento y la eficiencia energética de los chips.
Además, la compañía ya ha destinado 200 millones de dólares adicionales para completar las instalaciones, lo que subraya la importancia de este centro dentro de su hoja de ruta industrial.
EMIB frente a interposers: eficiencia y escalabilidad para chiplets
Intel continúa apostando por su tecnología EMIB, que se diferencia de soluciones tradicionales como los interposers de silicio empleados por otras compañías. En lugar de utilizar una capa completa, EMIB integra puentes conductores directamente en el sustrato, lo que permite reducir costes y mejorar la eficiencia en diseños de alta densidad.
Este enfoque resulta especialmente relevante en arquitecturas basadas en chiplets, donde la interconexión entre múltiples dies es clave para el rendimiento global. EMIB facilita una integración más flexible y escalable, adaptándose mejor a las necesidades de los chips modernos.
La evolución hacia EMIB-T, que incorpora TSV (through-silicon vias), permitirá además soportar memoria HBM4, un componente esencial para cargas de trabajo de IA y alto rendimiento, donde el ancho de banda es crítico.
Paquetes más grandes y mayor integración de memoria HBM
Uno de los objetivos más ambiciosos de Intel es aumentar el tamaño de sus paquetes. Actualmente, la compañía trabaja con formatos de 100 x 100 mm, pero ya está desarrollando soluciones de 120 x 120 mm, capaces de integrar hasta 12 stacks de memoria HBM, frente a los 8 habituales en diseños actuales.
De cara a 2028, Intel apunta a paquetes de 120 x 180 mm, lo que permitiría escalar hasta 24 stacks de HBM, multiplicando la capacidad de memoria y el ancho de banda disponible en chips destinados a IA y centros de datos.
Sin embargo, este crecimiento también introduce nuevos retos técnicos. Aumentar el tamaño del encapsulado incrementa el riesgo de deformación (warpage) y complica los procesos de fabricación, afectando potencialmente al yield. Esto obliga a optimizar tanto los materiales como los procesos para mantener la viabilidad industrial.
El avance de Intel en encapsulado avanzado refleja una tendencia clara en la industria: el rendimiento ya no depende solo del silicio de CPU o GPU, sino también de cómo se integran y conectan los diferentes componentes dentro del paquete.
Vía: TechPowerUp
