Samsung iniciará pruebas con EUV en Texas para producir chips de 2 nm GAA en 2026

Samsung iniciará pruebas con EUV en Texas para producir chips de 2 nm GAA en 2026

Samsung está dando un paso clave para situar a Estados Unidos en el mapa de la fabricación avanzada de semiconductores. Según informaciones procedentes de Corea del Sur, la compañía comenzará operaciones de prueba con equipos de litografía EUV en su planta de Taylor, Texas, a partir de marzo, con el objetivo de preparar el terreno para la producción en masa de obleas de 2 nm con arquitectura GAA en suelo estadounidense.

Este movimiento forma parte de una estrategia más amplia para reforzar su negocio de fundición y reducir la dependencia de sus instalaciones en Corea del Sur, en un momento en el que la carrera por los nodos más avanzados se ha intensificado de forma notable.

La planta de Taylor como banco de pruebas para EUV

De acuerdo con Korea Economic Daily, Taylor Plant 1, ubicada en Texas, actuará como centro piloto para la instalación, grabado y deposición de los equipos EUV. La fabricación a gran escala no está prevista hasta la segunda mitad de 2026, pero estas pruebas son un requisito indispensable para validar procesos y mejorar los rendimientos antes de dar el salto comercial.

La compañía ya habría creado un equipo específico para garantizar que la llegada y puesta en marcha de la maquinaria EUV se realice sin contratiempos. Además, Samsung tiene previsto solicitar un certificado temporal de ocupación a las autoridades locales, un trámite administrativo obligatorio para verificar que la instalación cumple con los requisitos de seguridad contra incendios y normativa técnica.

Chips de automoción e IA como primeros clientes

Aunque el informe no confirma si esta planta fabricará futuros SoCs Exynos, sí señala que los chips de conducción autónoma AI5 y AI6 de Tesla se producirán en Taylor. Este encargo se enmarca dentro de un acuerdo valorado en 16.500 millones de dólares entre ambas compañías, reforzando el papel de Samsung como proveedor estratégico en el sector de la automoción y la IA.

Para acelerar la finalización de la planta, la firma ha desplegado unos 7.000 trabajadores en el emplazamiento. Una vez completada, el complejo contará con un edificio de seis plantas que albergará aproximadamente 1.000 empleados, consolidando la presencia industrial de la compañía en la región.

Costes elevados y presión sobre la rentabilidad

La adopción de la litografía EUV de ASML no es una decisión menor desde el punto de vista financiero. Cada máquina tiene un coste aproximado de 500.000 millones de wones (~293 millones de euros), una inversión imprescindible si Samsung quiere producir obleas de 2 nm GAA con rendimientos competitivos. En la actualidad, los rendimientos estimados rondan el 50%, una cifra que la compañía necesita mejorar de forma urgente.

Este esfuerzo llega en un contexto delicado, ya que la división de fundición de Samsung arrastra pérdidas cercanas a 680 millones de dólares durante el tercer y cuarto trimestre de 2025. Aun así, la empresa mantiene como objetivo alcanzar la rentabilidad en 2027, apoyándose en nodos avanzados y grandes clientes internacionales.

Un complejo con margen para crecer hasta 10 plantas

Uno de los aspectos más relevantes del proyecto de Taylor es su escala física. Con una superficie de 4,85 millones de metros cuadrados, el complejo supera incluso a las plantas de Pyeongtaek y Hwaseong en Corea del Sur. Samsung ya ha asegurado espacio suficiente para levantar hasta 10 plantas en el futuro, lo que abre la puerta a una expansión progresiva según evolucione la demanda.

Inicialmente, esta ubicación estaba pensada para producción en 4 nm, pero la reticencia de TSMC a trasladar sus nodos más avanzados a Estados Unidos habría permitido a Samsung identificar una oportunidad estratégica, fijando un objetivo inicial de 50.000 obleas cuando arranque la producción.

Vía: Wccftech

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