Según fuentes cercanas a Reuters, China habría desarrollado un prototipo funcional de máquina de litografía EUV, que ya se encuentra en fase de pruebas. De confirmarse, se trataría de uno de los avances más relevantes del país en su objetivo de reducir la dependencia tecnológica exterior en la fabricación de semiconductores avanzados.
Las informaciones apuntan a que varias empresas chinas habrían logrado recrear un escáner EUV mediante ingeniería inversa sobre equipos de ASML, utilizando componentes de segunda mano procedentes de máquinas antiguas adquiridas en mercados secundarios. El prototipo ocuparía una planta industrial completa, con un tamaño comparable al de los actuales sistemas High-NA EUV del fabricante neerlandés.
El objetivo inicial marcado por el Gobierno chino sería fabricar chips funcionales con este sistema en torno a 2028, aunque el calendario dependerá de la viabilidad técnica real del equipo y de su estabilidad operativa.
Huawei, al frente de la cadena de suministro de silicio
Al frente de esta iniciativa se sitúa Huawei, que lleva años impulsando una cadena de suministro de IA completamente doméstica para esquivar las restricciones tecnológicas impuestas por Estados Unidos y sus aliados. En la localidad de Guanlan, la compañía ya opera una instalación dedicada a la fabricación de chips de 7 nm, destinados a sus propios procesadores.
Ante la capacidad limitada de SMIC, Huawei habría optado por controlar de forma directa todo el proceso de producción, desde el suministro de materiales y químicos, pasando por el equipamiento de fabricación de obleas, hasta el diseño de chips. Este enfoque supone un esfuerzo sin precedentes para desarrollar internamente cada eslabón crítico del ecosistema de semiconductores, incluyendo ahora los escáneres EUV, pieza clave para nodos más avanzados.
Un enfoque alternativo para la generación de EUV
Ya a comienzos de 2025, se informó de que una máquina EUV experimental estaba siendo probada en una instalación de Huawei en Dongguan. Este sistema se basa en una tecnología distinta a la de ASML: plasma inducido por descarga láser (LDP), en lugar del conocido plasma inducido por láser (LPP).
En el enfoque LDP, la radiación EUV de 13,5 nm se genera vaporizando estaño entre electrodos y convirtiéndolo en plasma mediante una descarga eléctrica de alto voltaje. Las colisiones entre electrones e iones producen la longitud de onda necesaria para la litografía EUV. Este método podría ofrecer ventajas como una arquitectura más simple, menor tamaño del sistema, mejor eficiencia energética y costes de producción más bajos, al menos sobre el papel.
De prototipo a producción, el verdadero reto
Todo apunta a que el prototipo actual forma parte de ese mismo programa y que ya estaría produciendo las primeras obleas para pruebas de laboratorio. Sin embargo, el camino hacia un sistema plenamente operativo sigue siendo complejo. Las compañías implicadas deberán demostrar que la máquina es capaz de mantener resolución suficiente, estabilidad operativa, caudal de producción estable y una integración fiable con los procesos de fabricación existentes.
En el sector de los semiconductores, disponer de un prototipo funcional es solo el primer paso. Convertirlo en una herramienta industrial viable requiere años de refinamiento, especialmente en una tecnología tan crítica como la litografía EUV.
Si China logra superar estas barreras, el impacto geopolítico y tecnológico sería enorme. Por ahora, el proyecto sigue envuelto en información no confirmada oficialmente, pero refuerza la idea de que la carrera por el control del silicio avanzado se está intensificando más allá de los actores tradicionales.
Vía: TechPowerUp
