Winbond Electronics Corporation ha presentado su nueva memoria DRAM DDR4 de 8 Gb, desarrollada con tecnología de 16 nm propia, orientada a sectores como televisores, servidores, redes, PCs industriales y sistemas embebidos. Aunque la transición hacia DDR5 avanza, muchas industrias siguen confiando en DDR4 por su estabilidad y ecosistema consolidado. Con este lanzamiento, la marca busca ofrecer mayor rendimiento y eficiencia energética manteniendo la compatibilidad con las plataformas existentes.
Mejora de rendimiento y eficiencia con proceso de 16 nm
Gracias a su plataforma de fabricación avanzada de 16 nm, Winbond logra un salto significativo respecto a generaciones anteriores. El nuevo nodo proporciona mayor productividad por oblea, menor consumo energético y tamaño de chip reducido, lo que permite integrar memorias de mayor densidad sin aumentar el encapsulado. Además, la optimización del proceso mejora la integridad de señal y reduce las fugas eléctricas, manteniendo estabilidad incluso a velocidades de hasta 3.600 Mbps.
Esta combinación de mayor velocidad, menor coste y madurez de fabricación convierte al DDR4 de 16 nm en una opción ideal para aplicaciones industriales de ciclo largo, donde la fiabilidad y la disponibilidad a largo plazo son esenciales.
Compatibilidad y fiabilidad industrial mejoradas
La nueva memoria DDR4 de 8 Gb ofrece una tasa de transferencia de hasta 3.600 Mbps, superando los estándares actuales de la industria y mejorando el rendimiento en aplicaciones de computación de alta velocidad. Construida sobre el nodo de 16 nm de Winbond, el diseño compacto aumenta la capacidad dentro del mismo encapsulado y contribuye a reducir el coste total del sistema.
El fabricante asegura un suministro estable gracias a sus capacidades internas de diseño, desarrollo de procesos y fabricación, garantizando soporte a largo plazo para clientes industriales y de Known Good Die (KGD).
Expansión de la familia DDR4 de próxima generación
La compañía ha confirmado que esta nueva memoria es solo el primer paso dentro de su portafolio de DRAM de 16 nm. Ya están en desarrollo tres productos adicionales, entre ellos un CUBE, una LPDDR4 de 8 Gb y una DDR4 de 16 Gb, todos diseñados bajo la misma arquitectura optimizada. Con esta estrategia, Winbond refuerza su posición en el sector de semiconductores de memoria, apostando por un equilibrio entre rendimiento, escalabilidad y eficiencia energética para futuras generaciones.
Vía: TechPowerUp
