La compañía Huawei vuelve a situarse en el centro del debate tecnológico tras registrar una patente sobre un proceso de 2 nm, revelada recientemente por el investigador Dr. Frederick Chen. Este desarrollo, fechado en 2022, propone un método para alcanzar una resolución de 21 nm de pitch metálico mediante el uso de litografía DUV existente, sin recurrir a maquinaria EUV, una de las grandes limitaciones actuales del ecosistema chino de semiconductores.
Del Kirin 9030 al salto hacia 2 nm
Hace solo unos días, Huawei presentó el Kirin 9030, su primer SoC de clase 5 nm, fabricado por SMIC bajo el nodo N+3. Este chip impulsa la nueva serie Mate 80, marcando un importante avance en la capacidad de producción local. Sin embargo, la compañía ya apunta más alto: su nuevo proceso teórico de 2 nm busca reducir el número de exposiciones necesarias mediante SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning), pasando de múltiples repeticiones a solo cuatro etapas, lo que permitiría fabricar transistores de densidad equivalente a los de TSMC N2 o Samsung 2 nm GAA.
Esta innovación, de lograrse, supondría un salto histórico para la industria china, al demostrar que aún es posible avanzar en miniaturización sin depender de la tecnología EUV. No obstante, los desafíos técnicos y los costes asociados siguen siendo considerables.
Riesgos de viabilidad y rendimiento del proceso
Los expertos advierten que la viabilidad comercial de un nodo DUV 2 nm es extremadamente baja debido a los rendimientos de producción. Las exposiciones múltiples tienden a generar errores de alineación y defectos de patrón, lo que limitaría seriamente la capacidad de fabricar chips a gran escala. Aun así, la investigación refleja la intención de Huawei y SMIC de continuar mejorando sus procesos sin depender de equipamiento occidental, avanzando en paralelo a TSMC y Samsung aunque a ritmos distintos.
Incluso si el método resulta funcional en laboratorio, las fuentes señalan que los costes y tiempos de producción lo alejan de una fabricación comercial viable. Su propósito podría ser más estratégico y experimental, buscando demostrar la capacidad tecnológica nacional frente a las restricciones internacionales.
China y la carrera por la independencia en semiconductores
En informes anteriores se mencionaba que China trabajaba en herramientas EUV propias y en un nodo 3 nm basado en semiconductores de nanotubos de carbono. No obstante, no se han publicado avances recientes y todo apunta a que estos desarrollos se mantienen en estricta confidencialidad. La estrategia de Huawei refuerza la visión de un ecosistema cada vez más cerrado, donde la autosuficiencia tecnológica se prioriza sobre la apertura o la transparencia informativa.
Aunque la patente de 2 nm aún no ha sido aprobada, su publicación confirma que el país continúa buscando alternativas de fabricación avanzadas frente a las restricciones impuestas por Estados Unidos y sus aliados. Si este proceso logra materializarse, supondría una de las mayores revoluciones técnicas del sector de semiconductores en la última década.
Vía: NotebookCheck
