Samsung ha comenzado el muestreo de su memoria GDDR7 más rápida, alcanzando 36 Gbps por pin en módulos de 24 Gb (3 GB) cada uno, diseñados para las GPU de nueva generación. La compañía también ha iniciado la producción masiva de chips de 28 Gbps, destinados previsiblemente a las próximas tarjetas RTX 50 SUPER de NVIDIA, que aún no han sido finalizadas a nivel de especificaciones.
Producción masiva de módulos GDDR7 de 3 GB
Los chips de 3 GB GDDR7 siguen siendo poco habituales en la industria, lo que convierte este lanzamiento en un paso clave dentro del sector de memorias gráficas de alto rendimiento. Las versiones de 28 Gbps ya se fabrican en masa, mientras que las de 32 Gbps se encuentran en fase de pruebas y las de 36 Gbps se destinan, por ahora, a tarjetas profesionales como las NVIDIA RTX PRO 6000 Blackwell y RTX PRO 5000 Blackwell, que integran 72 GB de memoria ECC GDDR7 mediante 24 módulos de 3 GB cada uno.
Esta configuración ofrece mayor densidad de VRAM y mejor eficiencia energética, un punto clave para los entornos de IA profesional y renderizado 3D, donde la ancho de banda y la capacidad total son determinantes para la estabilidad de las cargas de trabajo.
Preparativos para la gama RTX 50 SUPER
Según fuentes del sector, NVIDIA aún no ha distribuido a los AIC los diseños finales de la serie RTX 50 SUPER, precisamente por la selección pendiente de módulos GDDR7 definitivos. El plan inicial contemplaba un refresh intermedio entre finales del primer trimestre y comienzos del segundo de 2026, con posible presentación durante el CES 2026.
Las nuevas tarjetas –RTX 5070 SUPER, RTX 5070 Ti SUPER y RTX 5080 SUPER– ofrecerían un 50% más de memoria que sus equivalentes actuales, beneficiándose de los chips de 3 GB para lograr configuraciones más amplias sin aumentar el número total de módulos. De confirmarse, esta combinación situaría a Samsung como el principal proveedor de GDDR7 de 3 GB, clave para el salto de rendimiento en la próxima generación de GPU Blackwell.
Vía: TechPowerUp
