La firma CXMT (ChangXin Memory Technologies) ha presentado en la China International Semiconductor Expo 2025 sus primeras memorias DDR5-8000 y LPDDR5X-10667 completamente desarrolladas en territorio chino. Se trata del avance más ambicioso de la compañía hasta la fecha, situando su catálogo en un nivel de rendimiento comparable al de Samsung, SK Hynix o Micron, los líderes mundiales del sector.
Este salto llega en un momento en el que la infraestructura de servidores y centros de datos en China está creciendo con fuerza, pero sigue limitada por la capacidad nacional de producción de silicio y por las restricciones tecnológicas en el acceso a equipos de litografía avanzados.
Rendimiento al nivel de los grandes fabricantes
Las nuevas DDR5-8000 de CXMT alcanzan 8.000 MT/s, mientras que las LPDDR5X-10667 suben hasta 10.667 MT/s, una cifra prácticamente idéntica a la de las últimas memorias LPDDR6 y LPDDR5X de Samsung, que rondan los 10.700 MT/s. Con ello, el fabricante chino demuestra que su desarrollo interno ha alcanzado una madurez técnica capaz de competir en velocidad de transferencia y eficiencia energética.
Estas memorias se ofrecen en capacidades de 12 Gb y 16 Gb para los módulos LPDDR5X, y de 16 Gb y 24 Gb en el caso de los DDR5, destinados tanto a equipos de escritorio como a servidores empresariales.
Módulos para PCs, portátiles y centros de datos
El catálogo de CXMT se estructura en diferentes formatos según el mercado objetivo. Las versiones RDIMM, MRDIMM y TFF MRDIMM se dirigen a servidores y centros de datos, mientras que los UDIMM se reservan para sobremesas convencionales y los SODIMM para portátiles y sistemas compactos.
Además, la compañía introduce variantes con control de reloj, como los CUDIMM y CSODIMM, enfocadas al sector entusiasta y de estaciones de trabajo, donde la frecuencia estable y el margen de overclocking son factores clave. En el segmento profesional, las RDIMM de CXMT cubrirán distintas configuraciones de capacidad adaptadas a las plataformas de memoria más extendidas.
Proceso de fabricación y evolución tecnológica
El progreso de CXMT no se limita a la velocidad. En enero de 2025, TechInsights identificó en los módulos Gloway DDR5-6000 unos chips DRAM de 16 nm producidos por la propia compañía, señal de una mejora significativa en su tecnología de litografía.
Estos chips de 16 Gb ocupan 67 mm², con una densidad de 0,239 Gb/mm² y unas celdas G4 un 20% más pequeñas que las de la generación G3. La evolución desde los nodos de 23 nm (G1) y 18 nm (G2) hasta el actual 16 nm refleja una mejora sostenida en eficiencia y densidad, aunque el fabricante sigue estando unos tres años por detrás de Samsung, SK Hynix y Micron en procesos productivos avanzados.
Pese a estos avances, los analistas no esperan que el progreso de CXMT alivie la escasez global de DRAM a corto plazo, ya que su capacidad industrial sigue siendo reducida frente a los grandes productores internacionales.
Una señal de independencia tecnológica
La presentación de las DDR5-8000 y LPDDR5X-10667 marca un paso relevante hacia la autosuficiencia china en semiconductores, especialmente en un sector dominado históricamente por compañías extranjeras. Aunque todavía queda margen de mejora en rendimiento por vatio y costes de producción, el logro de CXMT demuestra que la industria de memoria DRAM en China avanza con una cadencia constante y cada vez más competitiva.
Vía: TechPowerUp
