Samsung ha publicado sus resultados financieros del tercer trimestre de 2025, confirmando un aumento en la demanda de memorias avanzadas y el inicio del envío de muestras de su próxima generación HBM4 a clientes de todo el mundo. La compañía prevé iniciar la producción en masa en 2026, consolidando su posición frente a competidores como Micron y SK Hynix.
HBM4 ya en manos de los primeros clientes
Según el informe, “HBM3E ya se encuentra en producción masiva y se distribuye a todos los clientes relevantes, mientras que las muestras HBM4 se están enviando simultáneamente a clientes clave”, señaló Samsung, destacando la fortaleza de su división de memoria.
Esta nueva generación de memoria de alto ancho de banda (HBM4) está destinada a satisfacer las crecientes necesidades de ancho de banda y eficiencia energética en sectores como la inteligencia artificial, supercomputación y procesadores gráficos de última generación.
Producción en 2026 y expansión en Texas
Samsung ha confirmado que en 2026 su división Foundry se centrará en garantizar un suministro estable de productos de 2 nm GAA (Gate-All-Around) y del HBM4 base-die, además de iniciar operaciones en su nueva planta de Taylor, Texas, un nodo estratégico para atender la demanda estadounidense de chips avanzados.
Base die inteligente y rendimiento mejorado
En una pila HBM compuesta por múltiples capas de DRAM (hasta 12 en vertical) conectadas mediante TSV (Through-Silicon Vias), existe la posibilidad de integrar una base die personalizada con lógica o circuitos aceleradores.
Fabricantes como NVIDIA y AMD suelen solicitar versiones personalizadas para mejorar el enrutamiento de datos y reducir la latencia, lo que resulta clave en procesos de inferencia IA, donde cada milisegundo cuenta. Estas configuraciones pueden ofrecer ganancias de dos dígitos en rendimiento efectivo, especialmente en cargas de trabajo de procesamiento de tokens.
Más allá del estándar JEDEC: competencia con Micron
Mientras el estándar JEDEC HBM4 marca un ancho de banda de 2 TB/s y una velocidad de 8 Gb/s por pin a través de una interfaz de 2048 bits, Micron ya ha anunciado que superará estas cifras alcanzando 11 Gb/s y un ancho de banda total de 2,8 TB/s, un 40% superior al estándar.
Se espera que Samsung adopte un enfoque similar, impulsando sus chips HBM4 por encima de las especificaciones JEDEC para cumplir con las exigencias de NVIDIA, AMD y otros socios que requieren rendimiento extremo y menor latencia en entornos de IA y HPC.
Vía: TechPowerUp
