Samsung ha revelado nuevos detalles sobre su próxima generación de memoria HBM4e, diseñada para aceleradores de inteligencia artificial y centros de datos de alto rendimiento. Durante el OCP Global Summit 2025, la compañía confirmó que esta memoria alcanzará velocidades superiores a 13 Gbps por pin, con un ancho de banda total de 3,25 TB/s, lo que supone un salto de 2,5 veces respecto a HBM3e.
HBM4e: más rápida y eficiente
Según medios surcoreanos como SeDaily y Chosun Daily, el desarrollo de HBM4e ha sido impulsado por NVIDIA, que solicitó memorias más rápidas para su futuro acelerador de IA Vera Rubin. Mientras que el estándar JEDEC HBM4 fija el límite en 8 Gbps por pin, tanto Samsung como SK hynix y Micron trabajan para superar los 10 Gbps, con la firma surcoreana a la cabeza.
Samsung afirma que la eficiencia energética también mejora de forma notable: el consumo desciende por debajo de 1,95 pJ/bit, menos de la mitad que en HBM3e, lo que permitirá reducir significativamente el consumo de energía en sistemas de IA y HPC.
Producción avanzada y rendimiento en pruebas iniciales
De acuerdo con TrendForce, Samsung ha trasladado la base de su dado HBM4 a un proceso FinFET de 4 nm, lo que la situaría por delante de sus competidores en rendimiento y escalabilidad de producción.
El informe de Chosun Daily añade que la empresa ha omitido su revisión interna habitual para acelerar la fabricación en masa, a pesar de que las pruebas iniciales muestran rendimientos inferiores al 50%. El objetivo es iniciar la producción en volumen de chips de 10 Gbps o más a finales de 2025, anticipándose a las necesidades de los próximos aceleradores de NVIDIA y otras plataformas de IA.
Beneficios récord impulsados por la división de semiconductores
El anuncio llega poco después de los resultados financieros del tercer trimestre de 2025, en los que Samsung registró un beneficio operativo de 12,1 billones de wones (unos 7.330 millones de euros), un 32% más que el año anterior y por encima de las previsiones del mercado.
Según estimaciones citadas por TrendForce, la división de semiconductores (DS) generó alrededor de 5 billones de wones (3.028 millones de euros), multiplicando por más de diez las ganancias del trimestre anterior. Este repunte se atribuye principalmente a la mejora del rendimiento en su división de fundición, que ha aumentado la capacidad de producción y sumado nuevos clientes.
Samsung publicará el desglose completo de sus resultados financieros el 30 de octubre, donde se espera conocer más detalles sobre la evolución del negocio de memorias y la hoja de ruta de HBM4e.
Vía: TechPowerUp
