Applied Materials ha anunciado una nueva generación de equipos de fabricación de semiconductores destinados a potenciar el rendimiento de los chips de lógica avanzada y memoria que sustentan la computación basada en inteligencia artificial (IA). Los nuevos sistemas se enfocan en tres áreas clave: transistores Gate-All-Around (GAA), memorias de alto ancho de banda (HBM) y empaquetado avanzado, pilares fundamentales en la próxima ola de procesadores para IA y computación de alto rendimiento (HPC).
Kinex Bonding: unión híbrida integrada para chips multinúcleo
El primero de los sistemas presentados es el Applied Kinex Bonding System, desarrollado en colaboración con BE Semiconductor Industries (Besi). Se trata del primer sistema de unión híbrida die-to-wafer totalmente integrado del sector, que permite combinar varios chiplets dentro de un mismo encapsulado con conexiones cobre a cobre de alta densidad.
El sistema integra todas las etapas críticas del proceso de unión en un solo equipo, ofreciendo ventajas frente a soluciones no integradas:
- Mayor precisión de alineación y menor variabilidad de unión.
- Gestión avanzada de paquetes multinúcleo mediante trazabilidad a nivel de chip.
- Interconexiones más finas, posibles gracias al control del entorno y la limpieza del proceso.
- Medición y detección de deriva integradas, lo que mejora la consistencia en fabricación.
El Kinex Bonding System ya está en uso por fabricantes líderes de lógica, memoria y ensamblaje OSAT, que buscan optimizar rendimiento y consumo en arquitecturas basadas en chiplets.
Centura Xtera Epi: optimización del crecimiento epitaxial para transistores GAA
El segundo lanzamiento es el Centura Xtera Epi System, un nuevo reactor epitaxial diseñado para rellenar estructuras tridimensionales de transistores GAA de 2 nm y más allá. Su arquitectura de cámara de bajo volumen y el proceso combinado de deposición y grabado permiten crear estructuras fuente-drenaje sin vacíos y con una uniformidad superior al 40 % respecto a sistemas convencionales.
Entre sus mejoras destacan:
- Uso de gas un 50% inferior frente a procesos epitaxiales tradicionales.
- Control dinámico de crecimiento en paredes y fondo del canal.
- Mayor fiabilidad y rendimiento eléctrico en los transistores resultantes.
Este avance es esencial para los fabricantes que trabajan en nodos de 2 nm y tecnologías backside power delivery, donde la precisión del crecimiento epitaxial resulta crítica para el rendimiento final del chip.
PROVision 10: metrología eBeam de nueva generación
Por último, la compañía presentó el PROVision 10, un sistema de metrología eBeam de alta resolución diseñado para chips lógicos y de memoria 3D. Es el primer sistema del sector que emplea tecnología de emisión de campo fría (CFE), lo que aumenta la resolución de imagen en un 50% y multiplica por diez la velocidad de captura frente a los equipos basados en emisión térmica (TFE).
El PROVision 10 permite:
- Mediciones en capas múltiples en chips 3D NAND, DRAM y transistores GAA.
- Control de procesos críticos como overlay de capas EUV y detección de vacíos epitaxiales.
- Metrología subnanométrica directa sobre el dispositivo, superando las limitaciones de los sistemas ópticos tradicionales.
La herramienta ya está siendo utilizada por fabricantes de vanguardia en lógica y memoria, quienes la emplean para mejorar la rendición de chips complejos y tridimensionales.
Un paso adelante en la fabricación de chips para IA
Con estos tres nuevos sistemas —Kinex, Xtera y PROVision 10—, Applied Materials refuerza su posición como proveedor clave en la cadena de valor del semiconductor, impulsando la transición hacia nodos más avanzados y arquitecturas optimizadas para IA generativa y computación de alto rendimiento.
Vía: TechPowerUp
