SK hynix ha marcado un nuevo hito en la industria de los semiconductores al ensamblar el primer sistema High NA EUV (Extreme Ultraviolet) para producción en masa en su planta M16 de Icheon, Corea del Sur. Este avance, realizado en colaboración con ASML, permitirá a la compañía producir memorias DRAM de próxima generación con mayor densidad, eficiencia energética y rendimiento.
Un salto en la litografía EUV
El sistema instalado es el TWINSCAN EXE:5200B, el primer modelo de High NA EUV diseñado para producción a gran escala. Sus capacidades representan un salto notable respecto a los equipos EUV convencionales:
- Transistores 1,7 veces más pequeños.
- Densidad 2,9 veces superior.
- Mejora del 40% en apertura numérica (NA), pasando de 0,33 a 0,55.
Estas mejoras permiten fabricar más chips por oblea, con un consumo energético más eficiente y un rendimiento superior, aspectos clave en un mercado donde la demanda de memoria para IA y computación avanzada crece rápidamente.
Objetivos de SK hynix
La compañía busca aprovechar esta tecnología para simplificar procesos, reducir costes y acelerar el desarrollo de su próxima generación de memorias. Según SK hynix, el High NA EUV fortalecerá su liderazgo en el mercado de productos de alto valor y consolidará su papel como referente en memoria para aplicaciones de IA, HPC y centros de datos.
Este movimiento también refuerza la estabilidad de la cadena de suministro global, ya que SK hynix trabaja estrechamente con sus socios tecnológicos para responder a las exigencias de escalado extremo y mayor densidad de integración.
Evolución de la tecnología EUV en DRAM
SK hynix introdujo por primera vez la litografía EUV en 2021 con la generación 1anm (10 nm de cuarta generación). Desde entonces, ha ido ampliando el uso de esta tecnología en la fabricación de sus memorias más avanzadas. La llegada del High NA EUV representa el siguiente paso, anticipándose a las futuras necesidades del sector.
Declaraciones
Para ASML, proveedor de la tecnología, el High NA EUV “abre el próximo capítulo de la industria de los semiconductores”, mientras que desde SK hynix remarcan que esta infraestructura crítica les permitirá materializar su visión tecnológica y reforzar su posición en memoria avanzada para inteligencia artificial.
Conclusión
El ensamblaje del primer sistema High NA EUV para producción masiva de DRAM posiciona a SK hynix en la vanguardia de la fabricación de semiconductores. Con esta apuesta, la compañía no solo mejora el rendimiento y la eficiencia de sus futuros productos, sino que también asegura un papel clave en el desarrollo de memorias esenciales para la era de la IA y la computación de nueva generación.
Vía: TechPowerUp
