
KIOXIA America ha comenzado el muestreo de sus nuevas memorias embebidas UFS 4.1 diseñadas para aplicaciones del sector automotriz. Estas unidades, compatibles con los exigentes entornos de infotenimiento, ADAS, telemática y controladores de dominio, están disponibles en capacidades de 128 GB, 256 GB, 512 GB y hasta 1 TB.
Fabricadas con tecnología BiCS FLASH 3D de 8ª generación y un controlador propio, estas soluciones cumplen los estándares AEC-Q100/104 Grade 2, lo que permite su funcionamiento a temperaturas de hasta 115 °C. El objetivo es ofrecer mayor rendimiento, capacidad de diagnóstico y flexibilidad para la nueva generación de vehículos inteligentes.
Rendimiento multiplicado en todos los frentes
Frente a la generación anterior UFS 3.1, la nueva memoria UFS 4.1 de 512 GB ofrece un salto notable en rendimiento:
- 2,1× en lectura secuencial
- 2,5× en escritura secuencial
- 2,1× en lectura aleatoria
- 3,7× en escritura aleatoria
Estas mejoras están pensadas para ofrecer una experiencia más fluida en vehículos con gran carga de procesamiento de datos, desde interfaces de usuario avanzadas hasta procesamiento en tiempo real para conducción asistida o navegación avanzada.
Soporte UFS 4.1 completo y nuevas funciones de diagnóstico
Las nuevas unidades son totalmente compatibles con la especificación UFS 4.1, incluyendo mejoras como WriteBooster Buffer Resizing y Pinned Partial Flush Mode, que permiten optimizar el rendimiento en función de la carga de trabajo. También son retrocompatibles con UFS 4.0 y UFS 3.1, lo que facilita su integración en arquitecturas ya existentes.
En el apartado de mantenimiento, se incorporan nuevas capacidades de diagnóstico, como un descriptor de salud específico para el dispositivo, que permite realizar monitoreo predictivo y mantenimiento proactivo. Esto se traduce en mayor fiabilidad para flotas de vehículos conectados y autónomos.
La tecnología CBA (CMOS Bonded to Array), integrada en la arquitectura de BiCS FLASH de 8ª generación, representa un avance clave en el diseño de memoria NAND, mejorando la eficiencia, velocidad y densidad de almacenamiento en entornos exigentes.
Vía: TechPowerUp