La multinacional alemana Infineon se convierte así en la primera empresa del mundo en integrar con éxito tecnología GaN en obleas de 300 mm dentro de una infraestructura de fabricación en volumen ya existente. Esta transición desde procesos de 200 mm a 300 mm permite una mejora del 130% en el rendimiento por oblea, lo que reduce drásticamente los costes por chip y mejora la escalabilidad para atender sectores emergentes.
Producción avanzada y ventaja competitiva
La clave del anuncio está en la capacidad de Infineon para mantener la competitividad de costes frente al silicio, gracias a su modelo IDM (Integrated Device Manufacturer), que le otorga control total del proceso, desde la fabricación hasta el producto final. Esta estrategia permitirá, según la compañía, alcanzar la paridad de costes entre dispositivos GaN y de silicio comparables, algo que históricamente ha sido una barrera para la adopción masiva del GaN.
Este movimiento cobra aún más relevancia tras conocerse que TSMC cerrará sus líneas de producción de GaN y desmantelará sus instalaciones en un plazo de dos años, lo que dejará un vacío notable en el mercado y una ventana de oportunidad estratégica para Infineon y otras empresas especializadas en electrónica de potencia.
Proyección de mercado y aplicaciones futuras
Según un análisis de Yole Group, el mercado de semiconductores de potencia basados en GaN experimentará un crecimiento anual del 36% hasta alcanzar los 2.500 millones de dólares en 2030. Infineon ya ha confirmado que su nueva línea de producción estará preparada para cubrir aplicaciones de alta demanda energética, como sistemas de alimentación para IA, cargadores para vehículos eléctricos y controladores de motores industriales.
Johannes Schoiswohl, responsable de la línea de negocio de GaN en Infineon, subrayó que esta ampliación se apoya en la infraestructura ya existente, lo que facilita una expansión rápida sin necesidad de inversiones masivas adicionales. Además, las ventajas técnicas del GaN frente al silicio —mayor densidad de potencia, mejores velocidades de conmutación y superior rendimiento térmico— posicionan esta tecnología como la opción más eficiente para aplicaciones de nueva generación.
Con TSMC fuera del juego, Infineon apunta a convertirse en el referente europeo del GaN de alto rendimiento, consolidando su posición como líder en innovación energética para la próxima década.
Vía: TechPowerUp
