Durante los primeros meses de 2025, la mayoría de las novedades en torno a memorias de alto ancho de banda (HBM) han girado en torno a los avances de SK Hynix y Micron. Mientras tanto, Samsung se ha mantenido más discreta… hasta ahora.
En los resultados financieros del primer trimestre del año, la compañía surcoreana ha confirmado que continúa trabajando en sus próximas memorias HBM3E mejoradas, a la vez que perfila su HBM4 de sexta generación, una tecnología con la que busca volver al frente del mercado.
HBM3E como punto de partida
Aunque sus rivales ya han mostrado soluciones HBM4 listas para producción, Samsung ha dejado claro que su foco inmediato es reforzar su posición con una versión mejorada de HBM3E, en concreto la variante HBM3E 12H, que podría empezar a fabricarse en masa en la segunda mitad de 2025.
El objetivo es claro: recuperar cuota de mercado en sectores clave como el de las GPU para inteligencia artificial y aceleradores, donde Samsung ha cedido terreno frente a la competencia.
HBM4 y HBM4E: el futuro ya está en desarrollo
Durante una reciente llamada con inversores, Kim Jae-joon, vicepresidente de la división de memoria de Samsung, confirmó que ya están colaborando con varios socios estratégicos en versiones personalizadas de sus futuras memorias HBM4 y HBM4E. Las primeras unidades comerciales podrían llegar en 2026, siempre que la producción en masa arranque según lo previsto este año.
Según medios surcoreanos como Hankyung, Samsung ya ha enviado muestras de evaluación de HBM4 a grandes nombres como NVIDIA, Broadcom y Google, lo que sugiere un fuerte interés del mercado en estas soluciones.
Tecnología de vanguardia para competir de tú a tú
De acuerdo con filtraciones recogidas por WCCFTech, la HBM4 de Samsung utilizará su propio proceso de 4 nm y memoria DRAM de sexta generación (10 nm 1c), una combinación que, sobre el papel, debería situarla al mismo nivel que las propuestas de SK Hynix. Aun así, el rendimiento real frente a la competencia está por verse.
Vía: TechPowerUp
