Según los últimos informes, los módulos de memoria de Samsung serían los únicos que han superado hasta la fecha los procesos de verificación establecidos por NVIDIA para la nueva gama RTX 50. Gracias a ello, Samsung suministraría memoria para las versiones de sobremesa y portátil de las GPUs RTX 50.
NVIDIA también tendría previsto utilizar chips de memoria GDDR7 de SK Hynix y Micron, dos firmas que rivalizan con Samsung en el mercado de la VRAM GDDR7, para las versiones de GPU para portátiles.
Greened, un medio surcoreano, ha informado de que Samsung habría realizado importantes avances en la tecnología GDDR7, lo que le convertiría en el proveedor predilecto de NVIDIA en estos momentos. Ahora bien, un conocido de Greened ha señalado que esta situación podría cambiar rápidamente si otros proveedores mejoran sus productos.
Por el momento, ninguno de los dos fabricantes ha hecho comentarios oficiales al respecto. Recientemente, Samsung presentó sus chips de memoria GDDR7 de primera generación en el evento GTC de NVIDIA, con módulos de 16 Gbit (2 GB) de capacidad y un ancho de banda de hasta 32 Gbit/s por pin.
Además, estos módulos funcionan a un voltaje de 1,1 V, inferior al estándar de 1,2 V para GDDR7, y cuentan con un diseño de circuito optimizado que reduce la generación de calor.
Se espera que las RTX 50 se anuncien durante la conferencia de NVIDIA en la CES el próximo 7 de enero, siendo probablemente los primeros modelos de la gama las RTX 5080 y RTX 5090.
La RTX 5090, según las últimas filtraciones, dispondría de 21.760 núcleos CUDA, 32 GB de memoria GDDR7 y un bus de 512 bits, mientras que la RTX 5080 incorporaría 10.752 núcleos CUDA, 16 GB de VRAM y un bus de 256 bits. En ambos modelos se hará uso de la arquitectura NVIDIA Blackwell y se espera que lleguen al mercado a finales de enero.
Un conocido filtrador especializado en NVIDIA, kopite7kimi, mencionó a principios del presente año en la plataforma X que los módulos GDDR7 de las RTX 50 contarán con un ancho de banda de memoria de 28 Gbit/s. Con anterioridad, Samsung había anunciado mejoras en sus chips de memoria GDDR7, con las que lograba anchos de banda de hasta 42,5 Gbit/s por pin.
Vía: Guru3D
