Como único proveedor mundial de sistemas de litografía ultravioleta extrema (EUV) fundamentales para la fabricación de los chips más avanzados, ASML ha dado a conocer su hoja de ruta para impulsar aún más el escalado de los semiconductores.
El expresidente de ASML, Martin van den Brink, anunció en una reciente presentación los planes de la firma para una nueva tecnología EUV Hyper-NA que reemplazaría a los sistemas EUV High-NA, que recién comienzan a desplegarse.
Las herramientas Hyper-NA, que se encuentran aún en las primeras fases de investigación, incrementarían la apertura numérica hasta 0,75 desde los 0,55 de High-NA, lo que permitiría la fabricación de chips con densidades de transistores superiores a los límites previstos para High-NA a principios de la década de 2030. Esta mayor apertura numérica debería reducir la dependencia de las técnicas de multi-patterning, que añaden mayor complejidad y coste.
La comercialización de Hyper-NA se enfrenta a sus propios retos. Entre los principales obstáculos figuran los efectos de la polarización de la luz, que degradan el contraste de las imágenes y exigen filtros de polarización que reducen el caudal de luz. Asimismo, para mantener la resolución, es posible que los materiales resistentes deban ser más finos.
Mientras que los principales fabricantes de chips EUV, como TSMC, probablemente puedan ampliar el escalado durante varios nodos más utilizando el multipatterning con las herramientas EUV de 0,33 NA existentes, Intel ha adoptado High-NA de 0,55 para evitar dichas complejidades. Sin embargo, es probable que el Hyper-NA se convierta en algo esencial en todo el sector a finales de la presente década, conforme se vayan alcanzando los límites físicos del High-NA.
Existen pocas soluciones alternativas a la hiper-NA, aparte de la costosa litografía electrónica multihaz, que carece del rendimiento de la fotolitografía EUV. Es posible que, para continuar con el escalado clásico, la industria tenga que pasar a nuevos materiales de canal con propiedades de movilidad electrónica superiores a las del silicio, lo que requerirá de nuevas capacidades de deposición y grabado.
Vía: TechPowerUp
