El Servicio de Información sobre Derechos de Propiedad Intelectual de Corea (KIPRIS) ha estado procesando en las últimas semanas numerosas solicitudes de marca registradas, presentadas por Samsung Electronics Corporation.
Los medios de comunicación señalaron a principios del presente mes que el conglomerado multinacional de fabricación surcoreano estaba intentando utilizar el término «Snowbolt» para denominar un producto basado en DRAM HBM3P que aún no había llegado al mercado.
Fuentes internas del sector y representantes de Samsung han indicado que la memoria de gran ancho de banda (velocidades de ancho de banda de 5 TB/s por pila) se incluirá en los próximos servidores en la nube, de alto rendimiento y de computación de IA, cuyo lanzamiento está previsto para finales de 2023.
SamMobile, un medio de comunicación especializado en Samsung, ha informado (el 15 de mayo) de otras solicitudes de registro de marca para productos DRAM («Dynamic Random Access Memory», memoria dinámica de acceso aleatorio) de próxima generación.
Samsung ha solicitado dos denominaciones adicionales: «Shinebolt» y «Flamebolt». Los detalles publicados en Internet muestran que estos productos comparten las mismas descripciones de «productos designados» con el registro anterior de «Snowbolt»: «Módulos DRAM con gran ancho de banda para su uso en equipos informáticos de alto rendimiento, inteligencia artificial y supercomputación» y «DRAM con gran ancho de banda para su uso en tarjetas gráficas».
Kye Hyun Kyung, CEO de Samsung Semiconductor, ha estado comentando las aspiraciones de su empresa de competir con su rival TSMC en el suministro de tecnología de componentes de vanguardia, especialmente en el campo de la computación de IA.
Aún es demasiado pronto para determinar si estos productos DRAM «-bolt» formarán parte de ese movimiento competitivo, si bien resulta positivo saber que la velocidad de la memoria está en camino y que la futura generación de GPUs se beneficiará de ello.
Vía: TechPowerUp
