Intel Foundry Services, la fundición de semiconductores interna de Intel, ha anunciado que sus nodos de fundición Intel 20A de 2 nm e Intel 18A de 1,8 nm han completado su desarrollo y están en disposición de producir chips en masa en las fechas previstas.
Se espera que los chips del nodo Intel 20A comiencen a fabricarse en masa en el primer semestre de 2024, mientras que los del nodo Intel 18A lo harán en el segundo semestre del mismo año. La culminación de la fase de desarrollo significa que Intel ha ultimado las especificaciones y los objetivos de rendimiento/consumo de los nodos, las herramientas y el software necesarios para fabricar los chips, y ya puede empezar a hacer pedidos para construir los nodos.
Intel ha estado testeando dichos nodos hasta 2022 y, una vez finalizadas las especificaciones, los diseñadores de chips pueden concluir el desarrollo de sus productos para adaptarlos a lo que estos nodos pueden ofrecer. El nodo Intel 20A (o 20-angstrom, o 2 nm) introduce los transistores RibbonFET de tipo «gates-all-around» (GAA) con PowerVIAs (una innovadora interconexión que contribuye a la densidad de los transistores).
Se afirma que el nodo Intel 20A ofrece un 15% más de rendimiento/vatio que su predecesor, el Intel 3 (FinFET EUV, de 3 nm), que por sí mismo ofrece un 18% más de rendimiento/vatio que el Intel 4 (un 20% más de rendimiento/vatio que el actual Intel 7), el nodo que entrará en producción en masa en breve.
El nodo Intel 18A se trata de un refinamiento adicional de Intel 20A, e incorpora una mejora de diseño en el RibbonFET que incrementa la densidad de transistores a escala, y una supuesta mejora del 10% en el rendimiento/vatio con respecto a Intel 20A.
Vía: TechPowerUp
